TO-247-4 半導体

半導体のタイプ

カテゴリービューの変更
結果: 446
選択 画像 部品番号 メーカ 説明 データシート 在庫状況 価格: (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする 数量 RoHS
onsemi SiC MOSFET 650V/30MOSICFETG3TO247-4 308在庫
最低: 1
複数: 1

onsemi SiC MOSFET 650V/80MOSICFETG3TO247-4 581在庫
最低: 1
複数: 1

onsemi SiC MOSFET 650V/7MOSICFETG3TO247-4 449在庫
最低: 1
複数: 1

onsemi SiC MOSFET 1200V/16MOSICFETG3TO24 466在庫
最低: 1
複数: 1

onsemi SiC MOSFET 1200V/70MOSICFETG4TO247-4 390在庫
最低: 1
複数: 1

Microchip Technology SiC MOSFET MOSFET SIC 1200 V 25 mOhm TO-247-4 258在庫
最低: 1
複数: 1

ROHM Semiconductor SiC MOSFET TO247 1.2KV 81A N-CH SIC 226在庫
最低: 1
複数: 1

onsemi SiC MOSFET 1200V/40MOSICFETG3TO247-4 666在庫
最低: 1
複数: 1

onsemi SiC MOSFET 750V/23MOSICFETG4TO247 674在庫
最低: 1
複数: 1


onsemi MOSFET 650V N-Channel SuperFET III MOSFET 125在庫
最低: 1
複数: 1


onsemi SiC MOSFET SIC MOS TO247-4L 20MOHM 1200V 247在庫
最低: 1
複数: 1

onsemi SiC MOSFET 1200V/23MOSICFETG4TO24 728在庫
最低: 1
複数: 1

Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package 369在庫
最低: 1
複数: 1

onsemi SiC MOSFET 1200V/53MOSICFETG4TO247-4 759在庫
最低: 1
複数: 1

STMicroelectronics MOSFET N-channel 650 V, 33 mOhm typ., 75 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO247-4 package 535在庫
最低: 1
複数: 1

Infineon Technologies IGBT 650 V, 50 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode 709在庫
最低: 1
複数: 1
ROHM Semiconductor SiC MOSFET TO247 1.2KV 26A N-CH SIC 554在庫
最低: 1
複数: 1


onsemi IGBT FS4 LOW VCESAT IGBT 650V 75A TO247-4L WITH FULL RATED CURRENT DIODE 330在庫
最低: 1
複数: 1

Infineon Technologies IGBT IGBT PRODUCTS 1,055在庫
最低: 1
複数: 1

Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW 1,196在庫
最低: 1
複数: 1

ROHM Semiconductor SiC MOSFET TO247 1.2KV 26A N-CH SIC 334在庫
最低: 1
複数: 1


onsemi IGBT 1200V 40A FSIII IGBT LOW VCESAT AND FAST FRD 384在庫
最低: 1
複数: 1


onsemi IGBT FS4 MID SPEED IGBT 650V 75A TO247-4L WITH FULL RATED CURRENT DIODE 432在庫
最低: 1
複数: 1


onsemi SiC MOSFET SIC MOS TO247-4L 80MOHM 1200V 679在庫
最低: 1
複数: 1

ROHM Semiconductor SiC MOSFET TO247 650V 39A N-CH SIC 704在庫
最低: 1
複数: 1