EMD4E001G Spin-Transfer Torque MRAM

Everspin Technologies EMD4E001G Spin-Transfer Torque Magnetic RAM (STT-MRAM) features 1Gb non-volatile ST-DDR4 MRAM with a 64Mb x 16 organization. These devices offer more effective management of I/O streams, allowing storage OEMs to significantly improve the quality of service of their products. The double data rate (DDR) architecture achieves high-speed operation and is an 8n prefetch architecture with an interface designed to transfer two data words per clock cycle at the I/O pins. Other features include multipurpose register READ and WRITE capability, per-device addressability (PDA), and on-device termination. Everspin Technologies EMD4E001G is compatible with Xilinx FPGA controllers and offers a persistent data buffer in storage and fabric/software accelerators, computational storage, and other applications.

結果: 2
選択 画像 部品番号 メーカ 説明 データシート 在庫状況 価格: (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする 数量 RoHS ECADモデル パッケージ/ケース インタフェース タイプ メモリ サイズ 編成 アクセス時間 供給電圧 - 最小 供給電圧 - 最大 最低動作温度 最高動作温度 パッケージ化
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 1Gb Non-Volatile ST-DDR4 Spin-transfer Torque MRAM(磁気抵抗メモリ) 非在庫リードタイム 29 週間
最低: 2,000
複数: 2,000
リール: 2,000

FBGA-96 Parallel 1 Gbit 64 M x 16 18 ns 1.14 V 1.26 V 0 C + 85 C Reel
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 1Gb Non-Volatile ST-DDR4 Spin-transfer Torque MRAM(磁気抵抗メモリ) 非在庫リードタイム 29 週間
最低: 380
複数: 190

FBGA-96 Parallel 1 Gbit 64 M x 16 18 ns 1.14 V 1.26 V 0 C + 85 C Tray