QDR™-II DDR-II Sync SRAM

Infineon Technologies QDR™-II DDR-II Sync SRAM offers a maximum speed of 333MHz, densities up to 144Mb, read latencies of 1.5 or 2.5 cycles, burst length of 2 or 4, and is available in an industry-standard 165-ball FBGA package. The QDR-II family also includes double data rate (DDR-II) devices. DDR-II devices are similar to QDR-II devices, except that all DDR devices have a burst length of 2 and a single data rate address bus. Additionally, DDR-II is available in SIO (separate I/O) or CIO (common I/O) options. SIO devices provide independent read and write ports, eliminating the data bus "turnaround" time found in CIO devices. CIO devices provide a single port for reads and write, reducing the number of required data pin connections.

結果: 47
選択 画像 部品番号 メーカ 説明 データシート 在庫状況 価格: (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする 数量 RoHS ECADモデル メモリ サイズ 編成 アクセス時間 最高クロック周波数 インタフェース タイプ 供給電圧 - 最大 供給電圧 - 最小 供給電流 - 最大 最低動作温度 最高動作温度 取り付け様式 パッケージ/ケース パッケージ化
Infineon Technologies SRAM 72MB (2Mx36) 1.8v 250MHz DDR II SRAM 19在庫
最低: 1
複数: 1

72 Mbit 2 M x 36 450 ps 250 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 530 mA 0 C + 70 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
Infineon Technologies SRAM 144Mb 1.8V 250Mhz 8M x 18 QDR II SRAM 非在庫リードタイム 14 週間
最低: 210
複数: 210

144 Mbit 8 M x 18 450 ps 250 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 800 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
Infineon Technologies SRAM 144Mb 1.8V 300Mhz 4M x 36 QDR II SRAM 非在庫リードタイム 14 週間
最低: 105
複数: 105

144 Mbit 4 M x 36 450 ps 300 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 950 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
Infineon Technologies SRAM 144Mb 1.8V 333Mhz 4M x 36 DDR II SRAM 非在庫リードタイム 14 週間
最低: 105
複数: 105

144 Mbit 4 M x 36 450 ps 333 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 790 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
Infineon Technologies SRAM 72Mb (8Mx9) 1.8v 250Mhz QDR II SRAM 非在庫リードタイム 14 週間
最低: 1,000
複数: 1,000
リール: 1,000

72 Mbit 8 M x 9 450 ps 250 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 640 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT FBGA-165 Reel
Infineon Technologies SRAM 144Mb 1.8V 250Mhz 8M x 18 QDR II SRAM 非在庫リードタイム 14 週間
最低: 525
複数: 525

144 Mbit 8 M x 18 450 ps 250 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 800 mA 0 C + 70 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
Infineon Technologies SRAM 144Mb 1.8V 300Mhz 8M x 18 QDR II SRAM 非在庫リードタイム 14 週間
最低: 525
複数: 525

144 Mbit 8 M x 18 450 ps 300 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 710 mA 0 C + 70 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
Infineon Technologies SRAM 144Mb 1.8V 333Mhz 8M x 18 QDR II SRAM 非在庫リードタイム 14 週間
最低: 525
複数: 525

144 Mbit 8 M x 18 450 ps 333 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 760 mA 0 C + 70 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
Infineon Technologies SRAM 144Mb 1.8V 333Mhz 4M x 36 QDR II SRAM 非在庫リードタイム 26 週間
最低: 525
複数: 525

144 Mbit 4 M x 36 450 ps 333 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 1.01 A 0 C + 70 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
Infineon Technologies SRAM 144Mb 1.8V 333Mhz 8M x 18 DDR II SRAM 非在庫リードタイム 14 週間
最低: 525
複数: 525

144 Mbit 8 M x 18 450 ps 333 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 650 mA 0 C + 70 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
Infineon Technologies SRAM 144Mb, 1.8v, 360Mhz (8Mx18) QDR II SRAM 非在庫リードタイム 26 週間
最低: 525
複数: 525

144 Mbit 8 M x 18 450 ps 360 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 1.025 A 0 C + 70 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
Infineon Technologies SRAM 144Mb 1.8V 333Mhz 16M x 9 QDR II SRAM 非在庫リードタイム 26 週間
最低: 525
複数: 525

144 Mbit 16 M x 9 450 ps 333 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 950 mA 0 C + 70 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
Infineon Technologies SRAM 144MB (8Mx18) QDR II 1.8V, 300MHz 非在庫リードタイム 14 週間
最低: 525
複数: 525

144 Mbit 8 M x 18 450 ps 300 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 910 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
Infineon Technologies SRAM 144MB (4Mx36) QDR II 1.8V, 250MHz 非在庫リードタイム 14 週間
最低: 210
複数: 210

144 Mbit 4 M x 36 450 ps 250 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 830 mA 0 C + 70 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
Infineon Technologies SRAM 144MB (16Mx9) QDR II 1.8V, 250MHz 非在庫リードタイム 14 週間
最低: 1,050
複数: 1,050

144 Mbit 16 M x 9 250 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 780 mA 0 C + 70 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
Infineon Technologies SRAM 72MB (4Mx18) 1.8v 250MHz QDR II SRAM 非在庫リードタイム 14 週間
最低: 1,360
複数: 1,360

72 Mbit 4 M x 18 450 ps 250 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 650 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
Infineon Technologies SRAM 72MB (4Mx18) 1.8v 250MHz QDR II SRAM 非在庫リードタイム 14 週間
最低: 272
複数: 272

72 Mbit 4 M x 18 450 ps 250 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 650 mA 0 C + 70 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
Infineon Technologies SRAM 72Mb 1.8V 4M x 18 250Mhz QDR II SRAM 非在庫リードタイム 14 週間
最低: 1,000
複数: 1,000
リール: 1,000

72 Mbit 4 M x 18 450 ps 250 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 650 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT FBGA-165 Reel
Infineon Technologies SRAM 72MB (4Mx18) 1.8v 333MHz QDR II SRAM 非在庫リードタイム 14 週間
最低: 1,360
複数: 1,360

72 Mbit 4 M x 18 450 ps 333 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 810 mA 0 C + 70 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
Infineon Technologies SRAM 72MB (4Mx18) 1.8v 300MHz QDR II SRAM 非在庫リードタイム 14 週間
最低: 272
複数: 272

72 Mbit 4 M x 18 450 ps 300 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 750 mA 0 C + 70 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
Infineon Technologies SRAM 72MB (4Mx18) 1.8v 300MHz QDR II SRAM 非在庫リードタイム 14 週間
最低: 680
複数: 680

72 Mbit 4 M x 18 450 ps 300 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 750 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
Infineon Technologies SRAM 72MB (2Mx36) 1.8v 250MHz QDR II SRAM 非在庫リードタイム 14 週間
最低: 1,360
複数: 1,360

72 Mbit 2 M x 36 450 ps 250 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 790 mA 0 C + 70 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
Infineon Technologies SRAM 72MB (2Mx36) 1.8v 250MHz QDR II SRAM 非在庫リードタイム 14 週間
最低: 272
複数: 272

72 Mbit 2 M x 36 450 ps 250 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 790 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
Infineon Technologies SRAM 72MB (2Mx36) 1.8v 300MHz QDR II SRAM 非在庫リードタイム 14 週間
最低: 1,360
複数: 1,360

72 Mbit 2 M x 36 450 ps 300 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 910 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
Infineon Technologies SRAM 72MB (2Mx36) 1.8v 333MHz QDR II SRAM 非在庫リードタイム 26 週間
最低: 1,360
複数: 1,360

72 Mbit 2 M x 36 450 ps 333 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 990 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT FBGA-165 Tray