DDR SDRAM

Micron DDR SDRAMは、画期的かつ先駆的な技術で、アプリケーションがクロック信号の立ち上がりエッジおよび立ち下がりエッジでデータを転送できるようになります。これによって、帯域幅が2倍になり、SDR SDRAMに比べて性能が向上します。この機能を達成するためにMicronは、2n-プリフェッチ・アーキテクチャを採用しています。これは、内部データバスは外部データバス2倍サイズで、データ・キャプチャは各クロック・サイクルで2回発生させることができます。

結果: 2
選択 画像 部品番号 メーカ 説明 データシート 在庫状況 価格: (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする 数量 RoHS ECADモデル タイプ メモリ サイズ データ バス幅 最高クロック周波数 パッケージ/ケース 編成 アクセス時間 供給電圧 - 最小 供給電圧 - 最大 最低動作温度 最高動作温度 シリーズ パッケージ化
Micron DRAM DDR 512Mbit 16 66/66TSOP 1 CT 3,236在庫
最低: 1
複数: 1
最大: 100

SDRAM - DDR 512 Mbit 16 bit 200 MHz TSOP-66 32 M x 16 700 ps 2.5 V 2.7 V 0 C + 70 C MT46V Tray
Micron DRAM DDR 512Mbit 16 66/66TSOP 1 IT 22在庫
最低: 1
複数: 1
最大: 100

SDRAM - DDR 512 Mbit 16 bit 200 MHz TSOP-66 32 M x 16 700 ps 2.5 V 2.7 V - 40 C + 85 C MT46V Tray