MR5A16A 32Mb Toggle MRAM

Everspin Technologies MR5A16A 32Mb Toggle Magnetoresistive Random Access Memory (MRAM) is a 33,554,432-bit device organized as 2,097,152 words of 16 bits. The MR5A16A series provides SRAM-compatible 35ns read/write timing (45ns for automotive temperature option) with unlimited endurance. Data is always non-volatile for >20 years at temperature and is automatically protected. To simplify fault-tolerant design, the MRAM modules feature an internal single-bit error correction code with 7 ECC parity bits for every 64 data bits. The series is available in a small footprint, 48-pin ball grid array (BGA) package, and a 54-pin thin small outline package (TSOP type 2). These packages are compatible with similar low-power SRAM products and other nonvolatile RAM products.

結果: 12
選択 画像 部品番号 メーカ 説明 データシート 在庫状況 価格: (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする 数量 RoHS ECADモデル パッケージ/ケース インタフェース タイプ メモリ サイズ 編成 データ バス幅 アクセス時間 供給電圧 - 最小 供給電圧 - 最大 動作供給電流 最低動作温度 最高動作温度 シリーズ パッケージ化
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 255在庫
最低: 1
複数: 1

TSOP-II-54 Parallel 32 Mbit 2 M x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA - 40 C + 85 C MR5A16A Tray
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 3.3V 32Mb MRAM(磁気抵抗メモリ) with unlimited read & write endurance, currently MSL 6 24在庫
最低: 1
複数: 1

BGA-48 Parallel 32 Mbit 2 M x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA - 40 C + 85 C MR5A16A Tray
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 3.3V 32Mb MRAM(磁気抵抗メモリ) with unlimited read & write endurance, currently MSL 6 3在庫
最低: 1
複数: 1

BGA-48 Parallel 32 Mbit 2 M x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA 0 C + 70 C MR5A16A Tray
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 非在庫リードタイム 27 週間
最低: 2,500
複数: 2,500
リール: 2,500

BGA-48 Parallel 32 Mbit 2 M x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA - 40 C + 85 C MR5A16A Reel
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 非在庫リードタイム 27 週間
最低: 1,000
複数: 1,000
リール: 1,000

TSOP-II-54 Parallel 32 Mbit 2 M x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA - 40 C + 85 C MR5A16A Reel
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 非在庫リードタイム 27 週間
最低: 2,500
複数: 2,500
リール: 2,500

BGA-48 Parallel 32 Mbit 2 M x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA 0 C + 70 C MR5A16A Reel
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 非在庫リードタイム 27 週間
最低: 480
複数: 240

BGA-48 Parallel 32 Mbit 2 M x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA - 40 C + 125 C MR5A16A Tray
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 非在庫リードタイム 27 週間
最低: 2,500
複数: 2,500
リール: 2,500

BGA-48 Parallel 32 Mbit 2 M x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA - 40 C + 125 C MR5A16A Reel
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 非在庫リードタイム 27 週間
最低: 216
複数: 108

TSOP-II-54 Parallel 32 Mbit 2 M x 16 16 bit 45 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA - 40 C + 125 C MR5A16A Tray
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 非在庫リードタイム 27 週間
最低: 1,000
複数: 1,000
リール: 1,000

TSOP-II-54 Parallel 32 Mbit 2 M x 16 16 bit 45 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA - 40 C + 125 C MR5A16A Reel
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 非在庫リードタイム 27 週間
最低: 216
複数: 108

TSOP-II-54 Parallel 32 Mbit 2 M x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA 0 C + 70 C MR5A16A Tray
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 非在庫リードタイム 27 週間
最低: 1,000
複数: 1,000
リール: 1,000

TSOP-II-54 Parallel 32 Mbit 2 M x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA 0 C + 70 C MR5A16A Reel