CY62 Asynchronous SRAM

Infineon Technologies CY62 Asynchronous SRAMs integrate single-bit error correction capability and bit-interleaving techniques to mitigate the effects of soft errors. The result is a family of devices that provide best-in-class features and the highest levels of reliability. With the performance to serve a wide variety of industrial, communication, data processing, medical, consumer, and military applications, the latest technology Fast and MOBL™ SRAM devices are form-fit-function compatible with existing Asynchronous SRAM devices based on older technology nodes.

結果: 5
選択 画像 部品番号 メーカ 説明 データシート 在庫状況 価格: (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする 数量 RoHS ECADモデル メモリ サイズ 編成 アクセス時間 インタフェース タイプ 供給電圧 - 最大 供給電圧 - 最小 供給電流 - 最大 最低動作温度 最高動作温度 取り付け様式 パッケージ/ケース パッケージ化
Infineon Technologies SRAM 16Mb MoBL SRAM With ECC 382在庫
最低: 1
複数: 1

16 Mbit 2 M x 8/1 M x 16 45 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 36 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-I-48 Tray
Infineon Technologies SRAM 16Mb MoBL SRAM With ECC 非在庫リードタイム 26 週間
最低: 960
複数: 960

16 Mbit 2 M x 8/1 M x 16 45 ns Parallel 5.5 V 4.5 V 36 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-I-48 Tray
Infineon Technologies SRAM 16Mb MoBL SRAM With ECC 非在庫リードタイム 26 週間
最低: 4,800
複数: 4,800

16 Mbit 2 M x 8/1 M x 16 55 ns Parallel 2.2 V 1.65 V 32 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT VFBGA-48 Tray
Infineon Technologies SRAM 16Mb MoBL SRAM With ECC 非在庫リードタイム 14 週間
最低: 2,400
複数: 2,400

16 Mbit 2 M x 8/1 M x 16 45 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 36 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT VFBGA-48 Tray
Infineon Technologies SRAM 16Mb MoBL SRAM With ECC 非在庫リードタイム 14 週間
最低: 4,800
複数: 4,800

16 Mbit 2 M x 8 45 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 36 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT VFBGA-48 Tray