MR1A16A 2Mb 16-bit I/O Parallel Interface MRAM

Everspin Technologies MR1A16A 2Mb 16-bit I/O Parallel Interface Magnetoresistive Random Access Memory (MRAM) modules are 2,097,152-bit devices organized as 131,072 words of 16 bits. The MR1A16A series offers SRAM-compatible 35ns read/write timing with unlimited endurance. Data is automatically protected and is always nonvolatile for >20 years. These MRAM devices are available in two package types: a small footprint 48-pin ball grid array (BGA) and a 44-pin thin small outline (TSOP Type 2). These packages are compatible with similar low-power SRAM products and nonvolatile RAM products. Everspin Technologies MR1A16A MRAM operates in various temperatures and provides highly reliable data storage. The series offers an ideal memory solution for applications that permanently store and quickly retrieve critical data and programs.

結果: 14
選択 画像 部品番号 メーカ 説明 データシート 在庫状況 価格: (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする 数量 RoHS ECADモデル パッケージ/ケース インタフェース タイプ メモリ サイズ 編成 データ バス幅 アクセス時間 供給電圧 - 最小 供給電圧 - 最大 動作供給電流 最低動作温度 最高動作温度 シリーズ パッケージ化
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 非在庫リードタイム 27 週間
最低: 696
複数: 348

BGA-48 Parallel 2 Mbit 128 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA - 40 C + 85 C MR1A16A Tray
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 非在庫リードタイム 27 週間
最低: 2,000
複数: 2,000
リール: 2,000

BGA-48 Parallel 2 Mbit 128 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA - 40 C + 85 C MR1A16A Reel
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 非在庫リードタイム 27 週間
最低: 270
複数: 135

TSOP-II-44 Parallel 2 Mbit 128 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA - 40 C + 85 C MR1A16A Tray
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 非在庫リードタイム 27 週間
最低: 1,500
複数: 1,500
リール: 1,500

TSOP-II-44 Parallel 2 Mbit 128 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA - 40 C + 85 C MR1A16A Reel
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 非在庫リードタイム 27 週間
最低: 696
複数: 348

BGA-48 Parallel 2 Mbit 128 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA 0 C + 70 C MR1A16A Tray
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 非在庫リードタイム 27 週間
最低: 2,000
複数: 2,000
リール: 2,000

BGA-48 Parallel 2 Mbit 128 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA 0 C + 70 C MR1A16A Reel
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 非在庫リードタイム 27 週間
最低: 270
複数: 135

TSOP-II-44 Parallel 2 Mbit 128 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA - 40 C + 125 C MR1A16A Tray
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 非在庫リードタイム 27 週間
最低: 1,500
複数: 1,500
リール: 1,500

TSOP-II-44 Parallel 2 Mbit 128 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA - 40 C + 125 C MR1A16A Reel
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 非在庫リードタイム 27 週間
最低: 696
複数: 348

BGA-48 Parallel 2 Mbit 128 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA - 40 C + 105 C MR1A16A Tray
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 非在庫リードタイム 27 週間
最低: 2,000
複数: 2,000
リール: 2,000

BGA-48 Parallel 2 Mbit 128 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA - 40 C + 105 C MR1A16A Reel
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 非在庫リードタイム 27 週間
最低: 270
複数: 135

TSOP-II-44 Parallel 2 Mbit 128 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA - 40 C + 105 C MR1A16A Tray
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 非在庫リードタイム 27 週間
最低: 1,500
複数: 1,500
リール: 1,500

TSOP-II-44 Parallel 2 Mbit 128 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA - 40 C + 105 C MR1A16A Reel
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 非在庫リードタイム 27 週間
最低: 270
複数: 135

TSOP-II-44 Parallel 2 Mbit 128 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA 0 C + 70 C MR1A16A Tray
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 非在庫リードタイム 27 週間
最低: 1,500
複数: 1,500
リール: 1,500

TSOP-II-44 Parallel 2 Mbit 128 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA 0 C + 70 C MR1A16A Reel