Parallel Interface FeRAMs

RAMXEED Parallel Interface FeRAMs are FeRAM (Ferroelectric Random Access Memory) chips available in various bit configurations using ferroelectric and silicon gate CMOS process technologies. These devices can retain data without a backup battery, unlike SRAM. The memory cells in the RAMXEED Parallel Interface FeRAM can support 1014 read/write operations, a significant improvement over the read and write operations supported by Flash memory and E2PROM. These FeRAM devices use a pseudo-SRAM interface.

結果: 6
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 メーカ
説明 データシート 在庫状況 価格： (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする
数量 RoHS ECADモデル メモリ サイズ
インタフェース タイプ
編成
パッケージ/ケース
アクセス時間
供給電圧 - 最小
供給電圧 - 最大
最低動作温度
最高動作温度
パッケージ化
RAMXEED F-RAM 8Mbit FeRAM (1M x8) parallel interface - FBGA48 tray
データシート
480在庫
最低： 1
複数： 1

8 Mbit Parallel 1 M x 8 FBGA-48 65 ns 1.8 V 3.6 V - 40 C + 85 C Tray
RAMXEED F-RAM 8Mbit FeRAM (512k x16) parallel interface - TSOP44 tray
データシート
63在庫
最低： 1
複数： 1

8 Mbit Parallel 512 k x 16 TSOP-44 65 ns 1.8 V 3.6 V - 40 C + 85 C Tray
RAMXEED F-RAM 8Mbit FeRAM (1M x8) parallel interface - TSOP44 tray
データシート
141在庫
最低： 1
複数： 1

8 Mbit Parallel 1 M x 8 TSOP-44 65 ns 1.8 V 3.6 V - 40 C + 85 C Tray
RAMXEED F-RAM 8Mbit FeRAM (512k x16) parallel interface - FBGA48 tray
データシート
477予想2026/09/21
最低： 1
複数： 1

8 Mbit Parallel 512 k x 16 FBGA-48 65 ns 1.8 V 3.6 V - 40 C + 85 C Tray
RAMXEED F-RAM
データシート
非在庫リードタイム 31 週間
最低： 126
複数： 126
4 Mbit 512 K x 8 TSOP-44 120 ns 1.8 V 3.6 V - 40 C + 105 C Tray
RAMXEED F-RAM
データシート
非在庫リードタイム 31 週間
最低： 1
複数： 1
4 MB 256 K x 16 TSOP-44 120 ns 1.8 V 3.6 V - 40 C + 105 C Tray