Bulk メモリ IC

結果: 141
選択 画像 部品番号 メーカ 説明 データシート 在庫状況 価格: (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする 数量 RoHS 製品 製品タイプ 取り付け様式 パッケージ/ケース メモリ サイズ インタフェース タイプ
Infineon Technologies CYDP1544
Infineon Technologies メモリ IC 開発ツール Development Kit 在庫なし
最低: 1
複数: 1
いいえ
Memory IC Development Tools
Infineon Technologies CYDP1545
Infineon Technologies メモリ IC 開発ツール Development Kit 在庫なし
最低: 1
複数: 1
いいえ
Memory IC Development Tools
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 512M, 1.8V, DDR2, 32Mx16, 333Mhz at CL5, 84 ball BGA (8mmx12.5mm) RoHS 非在庫リードタイム 24 週間
最低: 209
複数: 209

DRAM SMD/SMT BGA-84 512 Mbit
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 512M, 1.8V, DDR2, 32Mx16, 333Mhz at CL5, 84 ball BGA (8mmx12.5mm) RoHS 非在庫リードタイム 24 週間
最低: 209
複数: 209

DRAM SMD/SMT BGA-84 512 Mbit
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 512M, 1.8V, DDR2, 32Mx16, 400Mhz at CL5, 84 ball BGA (8mmx12.5mm) RoHS 非在庫リードタイム 24 週間
最低: 209
複数: 209

DRAM SMD/SMT BGA-84 512 Mbit
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 512M, 1.8V, DDR2, 32Mx16, 400Mhz at CL5, 84 ball BGA (8mmx12.5mm) RoHS 非在庫リードタイム 24 週間
最低: 209
複数: 209

DRAM SMD/SMT BGA-84 512 Mbit
ISSI DRAM RLDRAM2 Memory, 288Mbit, x18, Common I/O, 400MHz, RoHS, Ind. Temp, wBGA 在庫なし
最低: 104
複数: 104

DRAM SMD/SMT WBGA-144 288 Mbit
ISSI DRAM RLDRAM2 Memory, 288Mbit, x18, Common I/O, 300MHz, RoHS, Ind. Temp, wBGA 在庫なし
最低: 104
複数: 104

DRAM SMD/SMT WBGA-144 288 Mbit
ISSI DRAM RLDRAM2 Memory, 576Mbit, x18, Common I/O, 400MHz, tRC=20ns, RoHS 非在庫リードタイム 28 週間
最低: 104
複数: 104

DRAM SMD/SMT WBGA-144 576 Mbit
ISSI DRAM RLDRAM2 Memory, 576Mbit, x18, Common I/O, 300MHz, RoHS, wBGA 在庫なし
最低: 104
複数: 104

DRAM SMD/SMT WBGA-144 576 Mbit
ISSI DRAM RLDRAM2 Memory, 576Mbit, x36, Common I/O, 400MHz, tRC=15ns, RoHS 非在庫リードタイム 28 週間
最低: 104
複数: 104

DRAM SMD/SMT WBGA-144 576 Mbit
ISSI DRAM RLDRAM2 Memory, 288Mbit, x9, Common I/O, 400MHz, RoHS, Ind. Temp, wBGA 在庫なし
最低: 104
複数: 104

DRAM SMD/SMT WBGA-144 288 Mbit
ISSI DRAM RLDRAM2 Memory, 288Mbit, x9, Common I/O, 300MHz, RoHS, Ind. Temp, wBGA 在庫なし
最低: 104
複数: 104

DRAM SMD/SMT WBGA-144 288 Mbit
ISSI DRAM RLDRAM2 Memory, 576Mbit, x9, Common I/O, 400MHz, tRC=20ns, RoHS 非在庫リードタイム 28 週間
最低: 104
複数: 104

DRAM SMD/SMT WBGA-144 576 Mbit
ISSI DRAM RLDRAM2 Memory, 576Mbit, x9, Common I/O, 300MHz, RoHS, wBGA 在庫なし
最低: 104
複数: 104

DRAM SMD/SMT WBGA-144 576 Mbit
ISSI DRAM RLDRAM2 Memory, 576Mbit, x18, Separate I/O, 400MHz, tRC=20ns, RoHS 非在庫リードタイム 28 週間
最低: 104
複数: 104

DRAM SMD/SMT FBGA-144 576 Mbit
ISSI DRAM RLDRAM2 Memory, 576Mbit, x18, Separate I/O, 300MHz, RoHS, wBGA 在庫なし
最低: 104
複数: 104

DRAM SMD/SMT WBGA-144 576 Mbit
ISSI DRAM RLDRAM2 Memory, 288Mbit, x9, Separate I/O, 400MHz, RoHS, Ind. Temp, wBGA 在庫なし
最低: 104
複数: 104

DRAM SMD/SMT WBGA-144 288 Mbit
ISSI DRAM RLDRAM2 Memory, 288Mbit, x9, Separate I/O, 300MHz, RoHS, Ind. Temp, wBGA 在庫なし
最低: 104
複数: 104

DRAM SMD/SMT FBGA-144 288 Mbit
ISSI DRAM RLDRAM2 Memory, 576Mbit, x9, Separate I/O, 400MHz, tRC=20ns, RoHS 非在庫リードタイム 28 週間
最低: 104
複数: 104

DRAM SMD/SMT WBGA-144 576 Mbit
ISSI DRAM RLDRAM2 Memory, 576Mbit, x9, Separate I/O, 300MHz, RoHS, wBGA 在庫なし
最低: 104
複数: 104

DRAM SMD/SMT WBGA-144 576 Mbit
ISSI SRAM 4Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC, 256K x 16, 20ns, 1.65V-2.2V, 48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS 非在庫リードタイム 16 週間
最低: 480
複数: 480

SRAM SMD/SMT TFBGA-48 4 Mbit Parallel
ISSI SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16, 20ns,1.65V-2.2V, 48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS 非在庫リードタイム 16 週間
最低: 480
複数: 480

SRAM SMD/SMT TFBGA-48 8 Mbit Parallel

ISSI SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16, 20ns,1.65V-2.2V, 44 Pin TSOP II, RoHS 非在庫リードタイム 16 週間
最低: 135
複数: 135

SRAM SMD/SMT TSOP-44 8 Mbit Parallel
ISSI NORフラッシュ 128M 3V 133MHz Serial Flash 在庫なし
最低: 480
複数: 480

NOR Flash SMD/SMT TFBGA-24 128 Mbit QPI, SPI