RLDRAM2 DRAM

結果: 114
選択 画像 部品番号
 メーカ
説明 データシート 在庫状況 価格： (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする
数量 RoHS ECADモデル タイプ
メモリ サイズ
データ バス幅
最高クロック周波数
パッケージ/ケース
編成
アクセス時間
供給電圧 - 最小
供給電圧 - 最大
最低動作温度
最高動作温度
シリーズ
パッケージ化
ISSI DRAM 512M, 1.8V, 166Mhz Mobile DDR
データシート
395在庫
最低： 1
複数： 1
最大： 200

SDRAM Mobile - LPDDR 512 Mbit 32 bit 166 MHz BGA-90 16 M x 32 6 ns 1.7 V 1.95 V - 40 C + 85 C IS43LR32160C Tray
ISSI DRAM 256M, 1.8V, 166Mhz Mobile DDR SDRAM
データシート
63在庫
最低： 1
複数： 1
最大： 200

SDRAM - DDR 256 Mbit 32 bit 166 MHz TFBGA-90 8 M x 32 6 ns 1.7 V 1.95 V - 40 C + 85 C IS43LR32800G Tray
ISSI DRAM RLDRAM2 Memory, 288Mbit, x36, Common I/O, 300MHz, RoHS, Ind. Temp, wBGA
データシート
非在庫リードタイム 7 週間
最低： 104
複数： 104

RLDRAM2 288 Mbit 36 bit 300 MHz WBGA-144 8 M x 36 1.7 V 2.63 V - 40 C + 85 C IS49NLC36800 Bulk
ISSI DRAM 512M, 1.8V, Mobile DDR, 16Mx32, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS
データシート
非在庫リードタイム 8 週間
最低： 240
複数： 240

SDRAM Mobile - LPDDR 512 Mbit 32 bit 166 MHz BGA-90 16 M x 32 6 ns 1.7 V 1.95 V 0 C + 70 C IS43LR32160C Tray
ISSI DRAM 512M, 1.8V, Mobile DDR, 16Mx32, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, T&R
データシート
非在庫リードタイム 8 週間
最低： 2,500
複数： 2,500
リール: 2,500

SDRAM Mobile - LPDDR 512 Mbit 32 bit 166 MHz BGA-90 16 M x 32 6 ns 1.7 V 1.95 V 0 C + 70 C IS43LR32160C Reel
ISSI DRAM 256M, 1.8V, Mobile DDR, 8Mx32, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS
データシート
非在庫リードタイム 12 週間
最低： 240
複数： 240

SDRAM - DDR 256 Mbit 32 bit 166 MHz TFBGA-90 8 M x 32 6 ns 1.7 V 1.95 V 0 C + 70 C IS43LR32800G Tray
ISSI DRAM 256M, 1.8V, Mobile DDR, 8Mx32, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, T&R
データシート
非在庫リードタイム 12 週間
最低： 2,500
複数： 2,500
リール: 2,500

SDRAM Mobile - LPDDR 256 Mbit 32 bit 166 MHz TFBGA-90 8 M x 32 6 ns 1.7 V 1.95 V 0 C + 70 C IS43LR32800G Reel
ISSI DRAM RLDRAM2 Memory, 288Mbit, x18, Common I/O, 400MHz, RoHS, Ind. Temp, wBGA
データシート
在庫なし
最低： 104
複数： 104

RLDRAM2 288 Mbit 18 bit 400 MHz WBGA-144 16 M x 18 1.7 V 1.9 V - 40 C + 85 C IS49NLC18160 Bulk
ISSI DRAM RLDRAM2 Memory, 288Mbit, x18, Common I/O, 300MHz, RoHS, Ind. Temp, wBGA
データシート
在庫なし
最低： 104
複数： 104

RLDRAM2 288 Mbit 18 bit 300 MHz WBGA-144 16 M x 18 1.7 V 1.9 V - 40 C + 85 C IS49NLC18160 Bulk
ISSI DRAM RLDRAM2 Memory, 576Mbit, x18, Common I/O, 533MHz, tRC=15ns, RoHS
データシート
非在庫リードタイム 26 週間
最低： 104
複数： 104

RLDRAM2 576 Mbit 18 bit 533 MHz WBGA-144 32 M x 18 1.7 V 2.63 V 0 C + 95 C IS49NLC18320A
ISSI DRAM RLDRAM2 Memory, 576Mbit, x18, Common I/O, 400MHz, tRC=20ns, RoHS
データシート
非在庫リードタイム 26 週間
最低： 104
複数： 104

RLDRAM2 576 Mbit 18 bit 400 MHz WBGA-144 32 M x 18 20 ns 1.7 V 2.63 V 0 C + 95 C IS49NLC18320A Bulk
ISSI DRAM RLDRAM2 Memory, 576Mbit, x18, Common I/O, 300MHz, RoHS, wBGA
データシート
在庫なし
最低： 104
複数： 104

RLDRAM2 576 Mbit 18 bit 300 MHz WBGA-144 32 M x 18 20 ns 1.7 V 2.63 V 0 C + 95 C IS49NLC18320A Bulk
ISSI DRAM RLDRAM2 Memory, 576Mbit, x36, Common I/O, 533MHz, tRC=15ns, RoHS
データシート
非在庫リードタイム 26 週間
最低： 104
複数： 104

RLDRAM2 576 Mbit 36 bit 533 MHz WBGA-144 16 M x 36 1.7 V 1.9 V 0 C + 95 C IS49NLC36160A
ISSI DRAM RLDRAM2 Memory, 576Mbit, x36, Common I/O, 400MHz, tRC=15ns, RoHS
データシート
非在庫リードタイム 26 週間
最低： 104
複数： 104

RLDRAM2 576 Mbit 36 bit 400 MHz WBGA-144 16 M x 36 1.7 V 2.63 V 0 C + 95 C IS49NLC36160A Bulk
ISSI DRAM RLDRAM2 Memory, 288Mbit, x36, Common I/O, 400MHz, RoHS, wBGA
データシート
在庫なし
最低： 104
複数： 104

RLDRAM2 288 Mbit 36 bit 400 MHz WFCBGA-144 8 M x 36 1.7 V 2.63 V 0 C + 70 C IS49NLC36800
ISSI DRAM RLDRAM2 Memory, 288Mbit, x9, Common I/O, 400MHz, RoHS, Ind. Temp, wBGA
データシート
在庫なし
最低： 104
複数： 104

RLDRAM2 288 Mbit 9 bit 400 MHz WBGA-144 32 M x 9 1.7 V 2.63 V - 40 C + 85 C IS49NLC93200 Bulk
ISSI DRAM RLDRAM2 Memory, 288Mbit, x9, Common I/O, 300MHz, RoHS, Ind. Temp, wBGA
データシート
在庫なし
最低： 104
複数： 104

RLDRAM2 288 Mbit 9 bit 300 MHz WBGA-144 32 M x 9 1.7 V 2.63 V - 40 C + 85 C IS49NLC93200 Bulk
ISSI DRAM RLDRAM2 Memory, 576Mbit, x9, Common I/O, 400MHz, tRC=20ns, RoHS
データシート
非在庫リードタイム 26 週間
最低： 104
複数： 104

RLDRAM2 576 Mbit 9 bit 400 MHz WBGA-144 64 M x 9 1.7 V 2.63 V 0 C + 95 C IS49NLC96400A Bulk
ISSI DRAM RLDRAM2 Memory, 576Mbit, x9, Common I/O, 300MHz, RoHS, wBGA
データシート
在庫なし
最低： 104
複数： 104

RLDRAM2 576 Mbit 9 bit 300 MHz WBGA-144 64 M x 9 1.7 V 2.63 V 0 C + 95 C IS49NLC96400A Bulk
ISSI DRAM RLDRAM2 Memory, 576Mbit, x18, Separate I/O, 533MHz, tRC=15ns, RoHS
データシート
非在庫リードタイム 26 週間
最低： 104
複数： 104

RLDRAM2 576 Mbit 18 bit 533 MHz WBGA-144 32 M x 18 1.7 V 2.63 V 0 C + 95 C IS49NLS18320A
ISSI DRAM RLDRAM2 Memory, 576Mbit, x18, Separate I/O, 400MHz, tRC=20ns, RoHS
データシート
非在庫リードタイム 26 週間
最低： 104
複数： 104

RLDRAM2 576 Mbit 18 bit 400 MHz FBGA-144 32 M x 18 1.7 V 2.63 V 0 C + 95 C IS49NLS18320A Bulk
ISSI DRAM RLDRAM2 Memory, 576Mbit, x18, Separate I/O, 300MHz, RoHS, wBGA
データシート
在庫なし
最低： 104
複数： 104

RLDRAM2 576 Mbit 18 bit 300 MHz WBGA-144 32 M x 18 20 ns 1.7 V 2.63 V 0 C + 95 C IS49NLS18320A Bulk
ISSI DRAM RLDRAM2 Memory, 288Mbit, x9, Separate I/O, 400MHz, RoHS, Ind. Temp, wBGA
データシート
在庫なし
最低： 104
複数： 104

RLDRAM2 288 Mbit 9 bit 400 MHz WBGA-144 32 M x 9 1.7 V 2.63 V - 40 C + 85 C IS49NLS93200 Bulk
ISSI DRAM RLDRAM2 Memory, 288Mbit, x9, Separate I/O, 300MHz, RoHS, Ind. Temp, wBGA
データシート
在庫なし
最低： 104
複数： 104

RLDRAM2 288 Mbit 9 bit 300 MHz FBGA-144 32 M x 9 1.7 V 2.63 V - 40 C + 85 C IS49NLS93200 Bulk
ISSI DRAM RLDRAM2 Memory, 576Mbit, x9, Separate I/O, 400MHz, tRC=20ns, RoHS
データシート
非在庫リードタイム 26 週間
最低： 104
複数： 104

RLDRAM2 576 Mbit 9 bit 400 MHz WBGA-144 64 M x 9 1.7 V 2.63 V 0 C + 95 C IS49NLS96400A Bulk