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onsemi 最新の個別半導体

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onsemi NVBYST0D6N08X 80V NチャンネルパワーMOSFET

12/26/2025

- このデバイスは、低 QRR とソフトリカバリ特性のボディダイオードを備え、TCPAK1012（TopCool）パッケージを採用しています。

onsemi NVMFD5877NLデュアルNチャンネルMOSFET

12/19/2025

- コンパクトで、高熱発電性能など効率的な設計を実現するように設計されています。

onsemi NxT2023N065M3S EliteSiC MOSFET

12/04/2025

- 低実効出力容量、超低ゲート電荷が特長

onsemi NTTFS007P02P8 Pチャンネル低/中電圧 MOSFET

11/25/2025

- PowerTrench 技術を使用して製造されており、極めて低いRDS(on) のスイッチング性能と堅牢性を実現しています。

onsemi 60mΩ（標準値）FDC642P-F085小信号MOSFET

11/25/2025

- 高性能トレンチ技術を採用しており、極めて低いRDS(on)と高速なスイッチング速度を実現します。

onsemi NVD5867NLシングルNチャンネルパワーMOSFET

11/20/2025

- ドレイン・ソース電圧60V、ドレイン・ソース間オン抵抗39mΩ、AEC-Q101基準に適合。

onsemi NVD6824NLシングルNチャネルMOSFETアセンブリ

11/20/2025

- 伝導損失を最小限に抑える低RDS(on)と大電流能力を備えています。

onsemi NVMFS5830NLシングルNチャンネルパワーMOSFET

11/19/2025

- 要求の厳しい電源管理アプリケーション向けに設計された高効率シングルNチャネルパワーMOSFETです。

onsemi NVMFS5832NLシングルNチャンネルパワーMOSFET

11/19/2025

- 効率的な電力スイッチングが必要になる低電圧アプリケーション向けに設計された高性能MOSFET。

onsemi AFGB30T65RQDN IGBT

11/19/2025

- 導通損失とスイッチング損失が低い高輝度性能指数が備わっています。

onsemi NZ8PZener保護ダイオード

11/19/2025

- ESDと過渡電圧イベントに敏感な電子機器の部品を保護するように設計されています。

onsemi NTK3139P シングルPチャネル Power MOSFET

10/14/2025

- SC-89パッケージに比べて44%小型フットプリントおよび38%薄型のパッケージで提供。

onsemi NVNJWS200N031LシングルNチャネルパワーMOSFET

10/14/2025

- 本デバイスは、低い RDS（on）と低いゲートしきい値を備えており、ウェッタブルフランク付きで提供されます。

onsemi AFGH4L60T120RWx-STD Nチャネル、フィールド・ストップ第7世代IGBT

10/13/2025

- このデバイスは、低オン状態電圧および低スイッチング損失により、優れた性能を発揮します。

onsemi AFGBG70T65SQDC Nチャネル、フィールド・ストップ第4世代IGBT

10/13/2025

- 本デバイスは、伝導損失およびスイッチング損失の両方が低く、最適な性能を発揮します。

onsemi 低電圧から中電圧のT10 MOSFET

10/06/2025

- 40Vと80Vのカテゴリに分類されるシングルNチャネルPower MOSFET。性能の改善、システム効率の向上を実現。

onsemi MMQA/SZMMQA ESD保護ダイオード

09/23/2025

- 過渡過電圧保護機能を必要とするアプリケーション向け。

onsemi NSBAMXW PNPバイアス抵抗器トランジスタ

09/09/2025

- 単一のデバイスと関連する外部抵抗器バイアスネットワークの置き換えとして設計されています。

onsemi NTK3134N シングルNチャンネルパワーMOSFET

09/08/2025

- 堅牢な20V、890mA NチャンネルパワーMOSFETで、高効率なスイッチングアプリケーション向けに最適化されています。

onsemi NSBCMXW NPNバイアス抵抗器トランジスタ

09/08/2025

- 単一のデバイスと関連する外部抵抗器バイアスネットワークの置き換えとして設計されています。

onsemi SZMM3ZxT1G 車載用ツェナー電圧レギュレータ

09/05/2025

- 車載用電子システムでの電圧制御と保護を目的に設計されています。

onsemi NxJS3151P シングルPチャンネルパワーMOSFET

09/04/2025

- 電力密度と信頼性が重要となる、スペースに制約のある設計に最適です。

onsemi SZMMSZ52xT1G 車載用ツェナー電圧レギュレータ

08/25/2025

- 精密な電圧制御と過電圧保護を実現するように設計されています。

onsemi NXH600N10x 3レベル NPCインバータモジュール

08/25/2025

- I タイプ中性点クランプ3レベルインバータを搭載するF5BP パワーモジュールです。

onsemi MURS220/NRVUS220V/SURS8220 パワー整流器

08/21/2025

- 効率性と熱性能が重要になる高速スイッチングアプリケーション用に設計されています。

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フィルタリング基準:

Diotec Semiconductor BZX84B3V6 SMD Planar Zener Diode

02/03/2026

- Offers a sharp zener voltage breakdown and a low leakage current.

Vishay SE40CLJ Surface-Mount High Voltage Rectifiers

02/03/2026

- Designed for demanding power conversion applications

Vishay SE30CLJ Surface-Mount High Voltage Rectifiers

02/03/2026

- Engineered for robust performance in demanding power conversion applications.

Vishay High Current Density/Voltage Schottky Rectifiers

02/03/2026

- Delivers robust performance for demanding power‑conversion applications.

Vishay パワーシリコンカーバイド(SiC) ショットキーダイオード

02/03/2026

- 要求が厳しいパワーエレクトロニクスアプリケーションで極めて高い効率、優れた耐久性、信頼性を提供し。

IXYS X4-Class Power MOSFETs

02/02/2026

- Offer low on-state resistance and conduction losses, with improved efficiency.

IXYS DP高電圧、高速回復ダイオード

01/20/2026

- 600Vまたは1200VSCHOTTKYダイオードで、低逆電流リーク電流と高速回復時間を備えています。

Qorvo QPD1014A GaN入力整合トランジスタ

01/20/2026

- 15W（P3dB）、50Ω入力整合型ディスクリートGan-on-SiC HEMTで30MHz～1.2GHzという動作周波数範囲で動作します。

Qorvo QPD1011A GaN入力整合トランジスタ

01/19/2026

- 7W（P3dB）、50Ω入力整合ディスクリート窒化ガリウム（GaN）炭化ケイ素（SiC）HEMTで30MHz～1.2GHzという動作周波数範囲で動作します。

Qorvo QPD1004A GaN入力トランジスタ整合

01/19/2026

- 25W、50Ω入力整合型ディスクリートGaN on SiC HEMTは、50V電源レール上で30MHz～1400MHzで動作します。

Littelfuse SM15KPA-HRA & SM30KPA-HRA 高信頼性ダイオード

01/13/2026

- 航空機、航空宇宙、およびeVTOLアプリケーションのI/Oインターフェイス、VCCバス、その他回路を保護。

Littelfuse SP432x-01WTG TVSダイオード

01/08/2026

- 超低キャパシタンス、双方向、高レベルの保護を提供。

onsemi NVBYST0D6N08X 80V NチャンネルパワーMOSFET

12/26/2025

- このデバイスは、低 QRR とソフトリカバリ特性のボディダイオードを備え、TCPAK1012（TopCool）パッケージを採用しています。

Infineon Technologies OptiMOS™ 6 80VパワーMOSFET

12/23/2025

- 幅広い製品ポートフォリオの提供により、業界のベンチマークとなる性能を実現します。

Infineon Technologies CoolSiC™ 車載用 750V G2 MOSFET

12/19/2025

- 電気自動車（EV）アプリケーションの厳しい要求を満たすように設計されています。

onsemi NVMFD5877NLデュアルNチャンネルMOSFET

12/19/2025

- コンパクトで、高熱発電性能など効率的な設計を実現するように設計されています。

onsemi NxT2023N065M3S EliteSiC MOSFET

12/04/2025

- 低実効出力容量、超低ゲート電荷が特長

STMicroelectronics SGT080R70ILB EモードPowerGaNトランジスタ

12/04/2025

- 効率性の高い電力変換アプリケーション用に設計されたEモードPowerGaNトランジスタです。

Infineon Technologies 750V TRENCHSTOP™ IGBT7 H7 ディスクリートトランジスタ

12/01/2025

- DTO247パッケージを採用しており、従来のTO247パッケージで並列接続されていたの複数の低電流トランジスタを置き換えます。

onsemi NTTFS007P02P8 Pチャンネル低/中電圧 MOSFET

11/25/2025

- PowerTrench 技術を使用して製造されており、極めて低いRDS(on) のスイッチング性能と堅牢性を実現しています。

onsemi 60mΩ（標準値）FDC642P-F085小信号MOSFET

11/25/2025

- 高性能トレンチ技術を採用しており、極めて低いRDS(on)と高速なスイッチング速度を実現します。

iDEAL Semiconductor iS20M028S1C SuperQ™ 200V N-Ch Power MOSFETs

11/24/2025

- Designed for SMPS and high-efficiency motor drives in a robust PDFN package measuring 5mm x 6mm.

Diotec Semiconductor LDP02-26CAYD2-AQ SMD TVS Diode

11/24/2025

- Offers 6600 W peak power, fast response, and ISO-16750-2 load-dump test compliance.

Bourns SMLJ-R過渡電圧サプレッサダイオード

11/24/2025

- サージおよびESD保護用に設計されており、小型チップパッケージのDO-214AB(SMC)のサイズとなっています。

Diotec Semiconductor BZT52C39-AQ SMD Planar Zener Diode

11/20/2025

- Provides accurate voltage regulation with low leakage current and is AEC-Q101 qualified.

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