SiT8008 Low Power Programmable Oscillators

SiTime SiT8008 and SiT8008B low-power programmable oscillators include a programmable drive strength feature to provide a simple, flexible tool to optimize the clock rise/fall time for specific applications. The programmable drive strength improves system radiated electromagnetic interference (EMI) by slowing down the clock rise/fall time. The programmable drive strength also improves the downstream clock receiver’s (RX) jitter by decreasing (speeding up) the clock rise/fall time. The components have the ability to drive large capacitive loads while maintaining full swing with sharp edge rates. The oscillators exhibit EMI reduction by slowing rise/fall time and jitter reduction with faster rise/fall time. Power supply noise can be a source of jitter for the downstream chipset. One way to reduce this jitter is to speed up the rise/fall time of the input clock. Some chipsets may also require faster rise/fall time in order to reduce their sensitivity to this type of jitter. The components have high output load capability. The rise/fall time of the input clock varies as a function of the actual capacitive load the clock drives. At any given drive strength, the rise/fall time becomes slower as the output load increases. The devices can support up to 60pF or higher in maximum capacitive loads with drive strength settings.

結果: 152
選択 画像 部品番号 メーカ 説明 データシート 在庫状況 価格: (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする 数量 RoHS パッケージ/ケース 周波数 周波数安定性 負荷容量 供給電圧 - 最小 供給電圧 - 最大 出力フォーマット 定格電流 最低動作温度 最高動作温度 認証 シリーズ
SiTime MEMS オシレータ 33.333333MHz 1.8V -40C +85C 20ppm 675在庫
最低: 1
複数: 1
リール: 250

2.5 mm x 2 mm 33.333333 MHz 20 PPM 15 pF 1.62 V 1.98 V LVCMOS, HCMOS 4.1 mA - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime MEMS オシレータ 12.0MHz -40C +85C 3.3V 50ppm 112在庫
最低: 1
複数: 1
リール: 250

12 MHz 50 PPM 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS 4.5 mA - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime MEMS オシレータ 50.0MHz -40C +85C 3.3V 50ppm 172在庫
最低: 1
複数: 1
リール: 250

50 MHz 50 PPM 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS 4.5 mA - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime MEMS オシレータ 20MHz 50ppm 3.3V -40C +85C 164在庫
最低: 1
複数: 1
リール: 250

2 mm x 1.6 mm 20 MHz 50 PPM 15 pF 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS 4.5 mA - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime MEMS オシレータ 10.0MHz -20C +70C 3.3V 50ppm 239在庫
最低: 1
複数: 1
リール: 250

7 mm x 5 mm 10 MHz 50 PPM 60 pF 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS - 20 C + 70 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime MEMS オシレータ -40 to 85C, 2016, 50ppm, 3.3V, 31.25MHz, OE, 250 pcs T&R 8 mm 54在庫
250予想2026/04/28
最低: 1
複数: 1
リール: 250

2 mm x 1.6 mm 31.25 MHz 50 PPM 15 pF 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS 3.8 mA - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime MEMS オシレータ 25.0MHz -20C +70C 3.3V 20ppm 41在庫
最低: 1
複数: 1
リール: 250

7 mm x 5 mm 25 MHz 20 PPM 60 pF 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS - 20 C + 70 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime MEMS オシレータ 25.0MHz -40C +85C 3.3V 50ppm 343在庫
最低: 1
複数: 1
リール: 250

2.5 mm x 2 mm 25 MHz 50 PPM 60 pF 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS 4.5 mA - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime MEMS オシレータ 25.0MHz -40C +85C 2.5-3.3V 50ppm 128在庫
250予想2026/03/23
最低: 1
複数: 1
リール: 250

3.2 mm x 2.5 mm 25 MHz 50 PPM 60 pF 2.25 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS 4.5 mA - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime MEMS オシレータ 100MHz 2.5-3.3V -40C +85C 50ppm 881在庫
最低: 1
複数: 1
リール: 1,000

100 MHz 50 PPM 2.25 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS 4.5 mA - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime MEMS オシレータ 90MHz +/-50ppm -40C to85C 3.3V 245在庫
最低: 1
複数: 1
リール: 250

5 mm x 3.2 mm 90 MHz 50 PPM 15 pF 2.97 V 3.63 V LVCMOS 4.5 mA - 40 C + 85 C SiT8008
SiTime MEMS オシレータ 8.00MHz -20C +70C 3.3V 50ppm 408在庫
最低: 1
複数: 1
リール: 250

7 mm x 5 mm 8 MHz 50 PPM 60 pF 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS - 20 C + 70 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime MEMS オシレータ 25.0MHz -20C +70C 3.3V 50ppm 212在庫
最低: 1
複数: 1
リール: 250

7 mm x 5 mm 25 MHz 50 PPM 60 pF 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS - 20 C + 70 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime MEMS オシレータ -40 to 85C, 2520, 25ppm, 2.5V, 25MHz, OE, 250 pcs T&R 8 mm 220在庫
最低: 1
複数: 1
リール: 250

2.5 mm x 2 mm 25 MHz 25 PPM 15 pF 2.25 V 2.75 V LVCMOS, HCMOS 4.2 mA - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime MEMS オシレータ 24.0MHz -40C +85C 2.5-3.3V 50ppm 29在庫
最低: 1
複数: 1
リール: 250

3.2 mm x 2.5 mm 24 MHz 50 PPM 60 pF 2.25 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS 4.5 mA - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime MEMS オシレータ 16MHz 3.3V 50ppm -40C +85C 449在庫
最低: 1
複数: 1
リール: 250

2.5 mm x 2 mm 16 MHz 50 PPM 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime MEMS オシレータ 50MHz -40C +85C 3.3V 50ppm 248在庫
最低: 1
複数: 1
リール: 250

3.2 mm x 2.5 mm 50 MHz 50 PPM 60 pF 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS 4.5 mA - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime MEMS オシレータ 25.0MHz -40C +85C 3.3V 50ppm 297在庫
最低: 1
複数: 1
リール: 250

25 MHz 50 PPM 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS 4.5 mA - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime MEMS オシレータ 33.333333MHz 1.8V -40C +85C 20ppm 330在庫
最低: 1
複数: 1
リール: 250

2.5 mm x 2 mm 33.333333 MHz 20 PPM 15 pF 1.62 V 1.98 V LVCMOS 3.9 mA - 40 C + 85 C SiT8008
SiTime MEMS オシレータ 2.4576MHz 3.3V -20C +70C 50ppm 288在庫
最低: 1
複数: 1
リール: 250

7 mm x 5 mm 2.4576 MHz 50 PPM 15 pF 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS 4.5 mA - 20 C + 70 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime MEMS オシレータ 50.0MHz -40C +85C 1.8V 50ppm 235在庫
最低: 1
複数: 1
リール: 250

2.5 mm x 2 mm 50 MHz 50 PPM 60 pF 1.62 V 1.98 V LVCMOS, HCMOS - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime MEMS オシレータ 25.0MHz -40C +85C 3.3V 25ppm 445在庫
最低: 1
複数: 1
リール: 250

3.2 mm x 2.5 mm 25 MHz 25 PPM 60 pF 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime MEMS オシレータ 25.0MHz -40C +85C 2.5-3.3V 25ppm 922在庫
最低: 1
複数: 1
リール: 250

2.5 mm x 2 mm 25 MHz 25 PPM 60 pF 2.25 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime MEMS オシレータ 0 0 72在庫
最低: 1
複数: 1
リール: 250

2 mm x 1.6 mm 31.25 MHz 50 PPM 15 pF 2.97 V 3.63 V LVCMOS 4.5 mA - 40 C + 85 C SiT8008
SiTime MEMS オシレータ 33,33333MHz 1.8V 50ppm -20C +70C 78在庫
最低: 1
複数: 1
リール: 250

5 mm x 3.2 mm 33.33333 MHz 50 PPM 15 pF 1.62 V 1.98 V LVCMOS 3.9 mA - 20 C + 70 C SiT8008