MAGX-100027 50V GaN on Si HEMT Amplifiers

MACOM MAGX-100027 50V GaN on Si (Gallium Nitride on Silicon) HEMT (High-Electron-Mobility Transistor) Amplifiers are high-power devices optimized for DC to 2.7GHz frequency operation. The MAGX-100027 Amplifiers support both CW (Continuous Wave) and pulsed operation with peak output power levels from 15W to 300W. Each MACOM MAGX-100027 50V GaN device integrates a pair of isolated, symmetric amplifiers and is internally pre-matched.

結果: 3
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 メーカ
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数量 RoHS ECADモデル 動作周波数
動作供給電圧
動作供給電流
ゲイン
タイプ
取り付け様式
パッケージ/ケース
技術
最低動作温度
最高動作温度
シリーズ
パッケージ化
MACOM RF 増幅器 Transistor,GaN,100W,CW
データシート
287在庫
最低： 1
複数： 1

0 Hz to 2.7 GHz 50 V 200 mA 18.5 dB General Purpose Amplifiers SMD/SMT TO-272S-2 GaN - 40 C + 85 C MAGX-100027 Bulk
MACOM RF 増幅器 Amplifier,GaN,50W,CW
データシート
84在庫
最低： 1
複数： 1

0 Hz to 2.7 GHz 50 V 100 mA 16.8 dB General Purpose Amplifiers SMD/SMT TO-272S-2 GaN - 40 C + 120 C MAGX-100027 Bulk
MACOM RF 増幅器 Amplifier, GaN DC to 2700MHz, 250pc T&R
データシート
非在庫リードタイム 28 週間
最低： 250
複数： 250
リール: 250

0 Hz to 2.7 GHz 50 V 16.3 dB General Purpose Amplifiers SMD/SMT TO-252S-4 GaN - 40 C + 85 C MAGX-100027 Reel