TGA2237 Wideband Distributed Amplifier

Qorvo TGA2237 Wideband Distributed Amplifier is fabricated on the Qorvo production 0.25um Gallium-Nitride (GaN) on Silicon Carbide (SiC) process. The TGA2237 operates from 0.03GHz to 2.5GHz and provides 10W of saturated output power with 13dB of large signal gain and greater than 50.% power-added efficiency. The broadband performance supports both radar and communication applications across defense and commercial markets as well as electronic warfare. The TGA2237 amplifier is fully matched to 50Ω at both RF ports allowing for simple system integration. DC blocks are required on both RF ports and the drain voltage must be injected through an off chip bias-tee on the RF output port.

結果: 2
選択 画像 部品番号 メーカ 説明 データシート 在庫状況 価格: (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする 数量 RoHS ECADモデル 動作周波数 動作供給電圧 動作供給電流 ゲイン タイプ 取り付け様式 パッケージ/ケース 技術 P1dB - 圧縮ポイント 最低動作温度 最高動作温度 シリーズ パッケージ化
Qorvo RF 増幅器 .03-2.5GHz 10W GaN Sm Sig. Gain 19dB 非在庫リードタイム 20 週間
最低: 25
複数: 25

2.5 GHz 30 V 360 mA 19 dB Power Amplifiers SMD/SMT Die GaN 32 dBm TGA2237 Gel Pack
Qorvo RF 増幅器 30-2500MHz 10W GaN PAE > 50% Gain 19dB 非在庫リードタイム 16 週間
最低: 25
複数: 25

30 MHz to 2.5 GHz 32 V 360 mA 19 dB Power Amplifiers SMD/SMT QFN-32 GaN SiC 33 dBm - 40 C + 85 C TGA2237 Waffle