RGEフィールドストップトレンチIGBT

ROHM Semiconductor RGE フィールドストップトレンチIGBTは、低コレクタ・エミッタ飽和電圧、低スイッチング損失、5μsの短絡耐量を特長としています。ROHM Semiconductor RGE IGBTは、高ストレス条件下での信頼性の高い動作を保証します。内蔵の高速・ソフトリカバリが効率を向上させるとともに、鉛フリーリードメッキによりRoHS対応を実現しています。一般的なインバータ、無停電電源装置（UPS）システム、パワーコンディショナ、溶接機に最適なRGEシリーズは、現代の電源管理ニーズに対応する堅牢なソリューションを提供します。