車載グレード内部クランプIGBT
STMicroelectronics 車載グレード内部クランプIGBTは、高度なPowerMESH™技術を採用しており、自動車イグニッションシステムの過酷な環境でのコイル駆動を目的に最適化されています。これらのデバイスは、幅広い動作温度範囲での非常に低いオン状態電圧と非常に高いSCISエネルギー機能が特徴です。ESD保護ロジックレベル入力と統合ゲートレジスタに外部保護回路は不要です。
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STMicroelectronics 車載グレード内部クランプIGBTは、高度なPowerMESH™技術を採用しており、自動車イグニッションシステムの過酷な環境でのコイル駆動を目的に最適化されています。これらのデバイスは、幅広い動作温度範囲での非常に低いオン状態電圧と非常に高いSCISエネルギー機能が特徴です。ESD保護ロジックレベル入力と統合ゲートレジスタに外部保護回路は不要です。
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