GT30J121(Q)

Toshiba
757-GT30J121(Q)
GT30J121(Q)

メーカ：

詳細：
IGBT 600V/30A DIS

データシート:
ECADモデル:
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在庫: 82

在庫：
82 すぐに出荷可能
工場リードタイム：
18 週間 表示されている時間を超える工場生産予定時間。
最小: 1   倍数: 1
ユニット価格:
¥-
合計 額:
¥-
EST関税:

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
¥678.4 ¥678
¥448 ¥4,480
¥315.2 ¥31,520
¥259.2 ¥129,600
¥243.2 ¥243,200

製品属性 属性値 属性の選択
Toshiba
製品カテゴリー: IGBT
RoHS:  
Si
TO-3P-3
Through Hole
Single
600 V
2 V
- 20 V, 20 V
30 A
170 W
- 55 C
+ 150 C
GT30J121
Tube
ブランド: Toshiba
連続コレクタ電流 IC 最大値: 30 A
製品タイプ: IGBT Transistors
工場パックの数量: 100
サブカテゴリ: IGBTs
単位重量: 6.756 g
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選択した属性: 0

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JPHTS:
854129000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

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