AS3004316 シリーズ MRAM（磁気抵抗メモリ）

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Avalanche Technology MRAM（磁気抵抗メモリ） Avalanche Asynchronous Parallel interface P-SRAM 4Mb in 44TSOP package with x16 interface, 3V, -40 C to 85 C
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123在庫
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TSOP-44 Parallel 4 Mbit 256 k x 16 16 bit 35 ns 2.7 V 3.6 V 12 mA - 40 C + 85 C AS3004316 Tray
Avalanche Technology MRAM（磁気抵抗メモリ）
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非在庫リードタイム 4 週間
最低： 1,008
複数： 168
FBGA-48 Parallel 4 Mbit 256 k x 16 16 bit 45 ns 2.7 V 3.6 V 12 mA - 40 C + 105 C AS3004316 Tray
Avalanche Technology MRAM（磁気抵抗メモリ）
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FBGA-48 Parallel 4 Mbit 256 k x 16 16 bit 35 ns 2.7 V 3.6 V 12 mA - 40 C + 85 C AS3004316 Reel
Avalanche Technology MRAM（磁気抵抗メモリ）
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TSOP-44 Parallel 4 Mbit 256 k x 16 16 bit 35 ns 2.7 V 3.6 V 12 mA - 40 C + 85 C AS3004316 Reel
Avalanche Technology MRAM（磁気抵抗メモリ）
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TSOP-54 Parallel 4 Mbit 256 k x 16 16 bit 35 ns 2.7 V 3.6 V 12 mA - 40 C + 85 C AS3004316 Reel
Avalanche Technology MRAM（磁気抵抗メモリ）
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FBGA-48 Parallel 4 Mbit 256 k x 16 16 bit 35 ns 2.7 V 3.6 V 12 mA - 40 C + 105 C AS3004316 Reel
Avalanche Technology MRAM（磁気抵抗メモリ）
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TSOP-44 Parallel 4 Mbit 256 k x 16 16 bit 35 ns 2.7 V 3.6 V 12 mA - 40 C + 105 C AS3004316 Reel
Avalanche Technology MRAM（磁気抵抗メモリ）
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TSOP-54 Parallel 4 Mbit 256 k x 16 16 bit 35 ns 2.7 V 3.6 V 12 mA - 40 C + 105 C AS3004316 Reel
Avalanche Technology MRAM（磁気抵抗メモリ）
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FBGA-48 Parallel 4 Mbit 256 k x 16 16 bit 45 ns 2.7 V 3.6 V 12 mA - 40 C + 85 C AS3004316 Reel
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TSOP-44 Parallel 4 Mbit 256 k x 16 16 bit 45 ns 2.7 V 3.6 V 12 mA - 40 C + 85 C AS3004316 Reel
Avalanche Technology MRAM（磁気抵抗メモリ）
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TSOP-54 Parallel 4 Mbit 256 k x 16 16 bit 45 ns 2.7 V 3.6 V 12 mA - 40 C + 85 C AS3004316 Reel
Avalanche Technology MRAM（磁気抵抗メモリ）
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FBGA-48 Parallel 4 Mbit 256 k x 16 16 bit 45 ns 2.7 V 3.6 V 12 mA - 40 C + 105 C AS3004316 Reel
Avalanche Technology MRAM（磁気抵抗メモリ）
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最低： 1,000
複数： 1,000
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TSOP-54 Parallel 4 Mbit 256 k x 16 16 bit 45 ns 2.7 V 3.6 V 12 mA - 40 C + 105 C AS3004316 Reel
Avalanche Technology MRAM（磁気抵抗メモリ） Avalanche Asynchronous Parallel interface P-SRAM 4Mb in FBGA48 package with x16 interface, 3V, -40 C to 85 C
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在庫なし
最低： 1,008
複数： 168

FBGA-48 Parallel 4 Mbit 256 k x 16 16 bit 35 ns 2.7 V 3.6 V 12 mA - 40 C + 85 C AS3004316 Tray
Avalanche Technology MRAM（磁気抵抗メモリ） Avalanche Asynchronous Parallel interface P-SRAM 4Mb in 54TSOP package with x16 interface, 3V, -40 C to 85 C
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TSOP-54 Parallel 4 Mbit 256 k x 16 16 bit 35 ns 2.7 V 3.6 V 12 mA - 40 C + 85 C AS3004316 Tray
Avalanche Technology MRAM（磁気抵抗メモリ） Avalanche Asynchronous Parallel interface P-SRAM 4Mb in FBGA48 package with x16 interface, 3V, -40 C to 105 C
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在庫なし
最低： 1,008
複数： 168

FBGA-48 Parallel 4 Mbit 256 k x 16 16 bit 35 ns 2.7 V 3.6 V 12 mA - 40 C + 105 C AS3004316 Tray
Avalanche Technology MRAM（磁気抵抗メモリ） Avalanche Asynchronous Parallel interface P-SRAM 4Mb in 44TSOP package with x16 interface, 3V, -40 C to 105 C
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在庫なし
最低： 1,350
複数： 135

TSOP-44 Parallel 4 Mbit 256 k x 16 16 bit 35 ns 2.7 V 3.6 V 12 mA - 40 C + 105 C AS3004316 Tray
Avalanche Technology MRAM（磁気抵抗メモリ） Avalanche Asynchronous Parallel interface P-SRAM 4Mb in 54TSOP package with x16 interface, 3V, -40 C to 105 C
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在庫なし
最低： 1,056
複数： 96

TSOP-54 Parallel 4 Mbit 256 k x 16 16 bit 35 ns 2.7 V 3.6 V 12 mA - 40 C + 105 C AS3004316 Tray
Avalanche Technology MRAM（磁気抵抗メモリ）
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最低： 1,008
複数： 168
FBGA-48 Parallel 4 Mbit 256 k x 16 16 bit 45 ns 2.7 V 3.6 V 12 mA - 40 C + 85 C AS3004316 Tray
Avalanche Technology MRAM（磁気抵抗メモリ）
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最低： 1,350
複数： 135
TSOP-44 Parallel 4 Mbit 256 k x 16 16 bit 45 ns 2.7 V 3.6 V 12 mA - 40 C + 85 C AS3004316 Tray
Avalanche Technology MRAM（磁気抵抗メモリ）
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最低： 1,056
複数： 96
TSOP-54 Parallel 4 Mbit 256 k x 16 16 bit 45 ns 2.7 V 3.6 V 12 mA - 40 C + 85 C AS3004316 Tray
Avalanche Technology MRAM（磁気抵抗メモリ）
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最低： 1,350
複数： 135
TSOP-44 Parallel 4 Mbit 256 k x 16 16 bit 45 ns 2.7 V 3.6 V 12 mA - 40 C + 105 C AS3004316 Tray
Avalanche Technology MRAM（磁気抵抗メモリ）
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最低： 1,056
複数： 96
TSOP-54 Parallel 4 Mbit 256 k x 16 16 bit 45 ns 2.7 V 3.6 V 12 mA - 40 C + 105 C AS3004316 Tray