疑似SRAM/CellularRAM

ISSI 疑似SRAM/CellularRAMデバイスは、DRAMとSRAMの両方の優れた機能を備えています。ISSI PSRAM/CellularRAMは、SRAMに似たアーキテクチャをしています。DRAMとは異なり、物理的リフレッシュを必要としない隠されたリフレッシュ機能があります。CellularRAMデバイスは、CellularRAM規格に準拠して設計され、CRAM 1.5とCRAM 2.0があります。

結果: 39
選択 画像 部品番号 メーカ 説明 データシート 在庫状況 価格: (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする 数量 RoHS ECADモデル メモリ サイズ 編成 アクセス時間 最高クロック周波数 インタフェース タイプ 供給電圧 - 最大 供給電圧 - 最小 供給電流 - 最大 最低動作温度 最高動作温度 取り付け様式 パッケージ/ケース パッケージ化
ISSI SRAM 64Mb Pseudo SRAM 4Mx16 70ns A-Temp 在庫なし
最低: 2,500
複数: 2,500
リール: 2,500

64 Mbit 4 M x 16 70 ns Parallel 3.6 V 2.7 V 30 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TFBGA-48 Reel
ISSI SRAM 32Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page, 2M x 16,70ns,VDD 1.7V-1.95V, VDDQ 1.7V-1.95V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS 非在庫リードタイム 14 週間
最低: 2,500
複数: 2,500
リール: 2,500

Reel
ISSI SRAM 8Mb,Pseudo SRAM,Async,512K x 16,70ns,1.7v-1.95v,48 Ball BGA (6x8mm), RoHS 非在庫リードタイム 14 週間
最低: 480
複数: 480

8 Mbit 512 k x 16 70 ns Parallel 1.95 V 1.7 V 25 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-48
ISSI SRAM 16Mb,Pseudo SRAM,Async,1M x 16,70ns,2.5v-3.6v,48 Ball BGA, RoHS 非在庫リードタイム 14 週間
最低: 2,500
複数: 2,500
リール: 2,500

Reel
ISSI IS66WV1M16EBLL-55BLI
ISSI SRAM 16Mb,Pseudo SRAM,Async,1M x 16,55ns,2.5v-3.6v,48 Ball BGA, RoHS 非在庫リードタイム 14 週間
最低: 1
複数: 1

ISSI IS66WV1M16EBLL-55BLI-TR
ISSI SRAM 16Mb,Pseudo SRAM,Async,1M x 16,55ns,2.5v-3.6v,48 Ball BGA, RoHS 非在庫リードタイム 14 週間
最低: 2,500
複数: 2,500
リール: 2,500

Reel
ISSI IS66WVE2M16TCLL-70BLI-TR
ISSI SRAM 32Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page, 2M x 16,70ns,VDD 2.7V-3.6V, VDDQ 2.7V-3.6V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS 非在庫リードタイム 14 週間
最低: 2,500
複数: 2,500
リール: 2,500

Reel
ISSI IS66WVE2M16TCLL-70BLI
ISSI SRAM 32Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page, 2M x 16,70ns,VDD 2.7V-3.6V, VDDQ 2.7V-3.6V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS 非在庫リードタイム 14 週間
最低: 480
複数: 480

ISSI IS66WVE2M16ECLL-70BLI-TR
ISSI SRAM 32Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page, 2M x 16,55ns,VDD 1.7V-1.95V, VDDQ 2.7V-3.6V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS 非在庫リードタイム 14 週間
最低: 2,500
複数: 2,500
リール: 2,500

Reel
ISSI IS66WVE4M16ECLL-70BLI-TR
ISSI SRAM 64Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page, 4M x 16,70ns,VDD 1.7V-1.95V, VDDQ 2.7V-3.6V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS 非在庫リードタイム 14 週間
最低: 2,500
複数: 2,500
リール: 2,500

Reel
ISSI IS66WVE4M16EALL-70BLI-TR
ISSI SRAM 64Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page, 4M x 16,70ns,VDD 1.7V-1.95V, VDDQ 1.7V-1.95V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS 非在庫リードタイム 14 週間
最低: 2,500
複数: 2,500
リール: 2,500

64 Mbit 4 M x 16 70 ns Parallel 1.95 V 1.7 V 30 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT Reel
ISSI IS66WVC2M16EALL-7010BLI-TR
ISSI SRAM 32Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page/Burst CRAM 1.5,2M x 16,70ns,1.7v-1.95v,54 Ball BGA (6x8 mm), RoHS 非在庫リードタイム 14 週間
最低: 2,500
複数: 2,500
リール: 2,500
Reel
ISSI IS66WVC2M16EALL-7010BLI
ISSI SRAM 32Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page/Burst CRAM 1.5,2M x 16,70ns,1.7v-1.95v,54 Ball BGA (6x8 mm), RoHS 非在庫リードタイム 14 週間
最低: 480
複数: 480

32 Mbit 2 M x 16 70 ns Parallel 1.95 V 1.7 V 30 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT
ISSI IS66WVC2M16ECLL-7010BLI-TR
ISSI SRAM 32Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page/Burst CRAM 1.5, 2M x 16,70ns,1.7v-1.95v,54 Ball BGA (6x8 mm), RoHS 非在庫リードタイム 14 週間
最低: 2,500
複数: 2,500
リール: 2,500

Reel