DTMOS VスーパージャンクションMOSFET

Toshiba DTMOS VスーパージャンクションMOSFETは、効率性の高いパワーMOSFET向けの次世代のNチャンネル、ディープトレンチ半導体技術です。 DTMOS Vは、より低いEMIノイズで動作し、DTMOS IV MOSFETに比べてON抵抗RDS(ON)が17%低減されています。 DTMOS Vにはディープトレンチエッチングプロセスがあり、セル間隔が狭くなり、一般的な平面プロセスよりもRDS(ON)が低減されます。 DTMOS VスーパージャンクションMOSFETは、性能の向上に最適で、電力変換アプリケーションの設計を促進します。 アプリケーションには、スイッチング電源、力率補正(PFC)設計、LED照明があります。
詳細

結果: 12
選択 画像 部品番号 メーカ 説明 データシート 在庫状況 価格: (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする 数量 RoHS ECADモデル 技術 取り付け様式 パッケージ/ケース トランジスタ極性 チャンネル数 Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧 Id - 連続ドレイン電流 Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース Vgs - ゲート-ソース間電圧 Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧 Qg - ゲート電荷 最低動作温度 最高動作温度 Pd - 電力損失 チャネルモード トレードネーム パッケージ化
Toshiba MOSFET N-Ch DTMOSV 600V 80W 590pF 9.7A 3,850在庫
カットテープ
¥400.3
¥196
¥176.1
¥139.4
¥135.7
リール
¥117.6
最低: 1
複数: 1
: 2,000
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 600 V 9.7 A 380 mOhms 30 V 4 V 20 nC - 55 C + 150 C 80 W Enhancement DTMOSV Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFET N-Ch DTMOSV 650V 100W 730pF 11.5A 3,372在庫
カットテープ
¥481.7
¥237.5
¥214.3
¥172.7
¥167.8
リール
¥151.2
最低: 1
複数: 1
: 2,000
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 650 V 11.5 A 290 mOhms 30 V 4 V 25 nC - 55 C + 150 C 100 W Enhancement DTMOSV Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFET N-Ch DTMOSV 600V 35W 730pF 11.5A 1,038在庫
¥514.9
¥192.7
¥164.4
¥163.6
最低: 1
複数: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 11.5 A 290 mOhms 30 V 4 V 25 nC - 55 C + 150 C 35 W Enhancement DTMOSV Tube
Toshiba MOSFET N-Ch DTMOSV 600V 60W 380pF 7.0A 1,900在庫
カットテープ
¥357.1
¥172.7
¥154.5
¥124.4
リール
¥103.8
¥100.7
最低: 1
複数: 1
: 2,000
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 600 V 7 A 560 mOhms 30 V 4 V 14.5 nC - 55 C + 150 C 60 W Enhancement DTMOSV Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET N-Ch DTMOSV 650V 60W 380pF 7.0A 1,353在庫
カットテープ
¥395.3
¥192.7
¥172.7
¥137.5
¥133.5
リール
¥115.6
最低: 1
複数: 1
: 2,000
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 650 V 7 A 560 mOhms 30 V 4 V 14.5 nC - 55 C + 150 C 60 W Enhancement DTMOSV Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET N-Ch DTMOSV 650V 35W 730pF 11.5A 97在庫
¥549.8
¥275.7
¥265.8
最低: 1
複数: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 11.5 A 290 mOhms 30 V 4 V 25 nC - 55 C + 150 C 35 W Enhancement DTMOSV Tube
Toshiba MOSFET N-Ch DTMOSV 650V 100W 730pF 11.5A 626在庫
カットテープ
¥455.1
¥292.3
¥199.3
¥167.8
リール
¥141.5
最低: 1
複数: 1
: 2,000
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 600 V 11.5 A 290 mOhms 30 V 4 V 25 nC - 55 C + 150 C 100 W Enhancement DTMOSV Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFET N-Ch DTMOSV 650V 30W 380pF 7.0A 177在庫
¥561.4
¥277.4
¥247.5
¥212.6
最低: 1
複数: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 7 A 560 mOhms 30 V 4 V 14.5 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement DTMOSV Tube
Toshiba MOSFET N-Ch DTMOSV 600V 30W 590pF 9.7A 非在庫リードタイム 16 週間
¥465.1
¥299
¥206
¥166.1
最低: 1
複数: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 9.7 A 380 mOhms 30 V 4 V 20 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement DTMOSV Tube
Toshiba MOSFET TO-220SIS PD=30W 1MHz PWR MOSFET TRNS 非在庫リードタイム 16 週間
¥523.2
¥337.2
¥230.9
¥187.7
最低: 1
複数: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 9.7 A 380 mOhms 30 V 4 V 20 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement DTMOSV Tube
Toshiba MOSFET N-Ch DTMOSV 650V 80W 590pF 9.7A 非在庫リードタイム 24 週間
リール
¥141.5
¥134.5
最低: 2,000
複数: 2,000
: 2,000
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 650 V 9.7 A 380 mOhms 30 V 4 V 20 nC - 55 C + 150 C 80 W Enhancement DTMOSV Reel
Toshiba MOSFET N-Ch DTMOSV 600V 30W 380pF 7.0A 非在庫リードタイム 16 週間
¥431.9
¥275.7
¥187.7
¥160
最低: 1
複数: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 7 A 560 mOhms 30 V 4 V 14.5 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement DTMOSV Tube