GaN HEMT

Cree GaN (窒化ガリウム) HEMT (高電子移動度トランジスタ) は、SiおよびGaAsトランジスタに比べて、より高い出力密度と幅広い帯域幅を提供しています。GaNには、シリコンやガリウム砒素に比べて、高耐圧、高飽和電子ドリフト速度、高い熱伝導率をはじめとする優れた特性があります。
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結果: 32
選択 画像 部品番号 メーカ 説明 データシート 在庫状況 価格: (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする 数量 RoHS ECADモデル 取り付け様式 パッケージ/ケース トランジスタ極性 チャンネル数 Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧 Id - 連続ドレイン電流 Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧 最低動作温度 最高動作温度 最高動作周波数 最小動作周波数 技術
MACOM GaN FET GaN HEMT DC-6.0GHz, 6 Watt 617在庫
320予想2026/08/26
最低: 1
複数: 1

SMD/SMT 440109 N-Channel 120 V 750 mA - 3 V - 40 C + 150 C 6 GHz 2 GHz GaN
MACOM GaN FET GaN HEMT DC-6.0GHz, 6 Watt 896在庫
1,800取寄中
最低: 1
複数: 1
: 200

SMD/SMT QFN-6 N-Channel 120 V 750 mA - 3 V - 40 C + 150 C 6 GHz 2 GHz GaN
MACOM GaN FET GaN HEMT DC-6.0GHz, 10 Watt 2,271在庫
最低: 1
複数: 1

Screw Mount 440166 N-Channel 120 V 1.5 A - 3 V - 40 C + 150 C 6 GHz 2 GHz GaN
MACOM GaN FET GaN HEMT DC-6.0GHz, 25 Watt 767在庫
最低: 1
複数: 1

Screw Mount 440166 N-Channel 120 V 3 A - 3 V - 40 C + 150 C 6 GHz 2 GHz GaN
MACOM GaN FET GaN HEMT DC-4.0GHz, 45 Watt 87在庫
最低: 1
複数: 1

Screw Mount 440193 N-Channel 120 V 6 A - 3 V - 40 C + 150 C 4 GHz 2 GHz GaN
MACOM GaN FET GaN HEMT DC-2.5GHz, 120 Watt 94在庫
175取寄中
最低: 1
複数: 1

Screw Mount 440193 N-Channel 120 V 12 A - 3 V - 40 C + 150 C 2.5 GHz 1 GHz GaN
MACOM GaN FET GaN HEMT 4.5-6.0GHz, 10 Watt 141在庫
最低: 1
複数: 1

Screw Mount 440166 N-Channel 120 V 1.5 A - 3 V - 40 C + 150 C 6 GHz 4.5 GHz GaN
MACOM GaN FET GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 8 Watt 570在庫
最低: 10
複数: 10

SMD/SMT Die N-Channel 120 V 750 mA 1.6 Ohms - 3 V 6 GHz 4 GHz GaN
MACOM GaN FET GaN HEMT DC-4.0GHz, 100 Watt 47在庫
225予想2026/10/16
最低: 1
複数: 1

Screw Mount 440193 N-Channel 150 V 8.7 A 2.3 V - 40 C + 150 C 2.5 GHz 500 MHz GaN
MACOM GaN FET GaN HEMT 5.2-5.9GHz, 350 Watt 4在庫
10予想2026/08/28
最低: 1
複数: 1

SMD/SMT 1 Channel 125 V - 3 V - 40 C + 85 C 5.9 GHz 5.2 GHz GaN
MACOM GaN FET GaN HEMT DC-4.0GHz, 35 Watt 5在庫
752取寄中
最低: 1
複数: 1

Screw Mount 440193 N-Channel 120 V 4.5 A - 3 V - 40 C + 150 C 4 GHz 2 GHz GaN
MACOM GaN FET GaN HEMT DC-2.5GHz, 180 Watt
21予想2026/09/25
最低: 1
複数: 1

Screw Mount 440199 N-Channel 2 Channel 120 V 24 A - 3 V - 40 C + 150 C 2.5 GHz 1 GHz GaN
MACOM GaN FET GaN HEMT DC-18GHz, 6 Watt
750予想2026/09/15
最低: 1
複数: 1
: 250

SMD/SMT DFN-12 N-Channel 100 V 950 mA - 3 V - 40 C + 150 C 18 GHz 0 Hz GaN
MACOM GaN FET GaN HEMT DC-6.0GHz, 30 Watt
668予想2026/08/28
最低: 1
複数: 1

Screw Mount 440166 N-Channel 100 V 4.2 A 2.3 V - 40 C + 150 C 1.4 GHz 960 MHz GaN
MACOM GaN FET GaN HEMT DC-2.5GHz, 90 Watt リードタイム 26 週間
最低: 1
複数: 1

Screw Mount 440199 N-Channel 2 Channel 120 V 12 A - 3 V - 40 C + 150 C 2.5 GHz 500 MHz GaN
MACOM GaN FET GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 15 Watt 非在庫リードタイム 26 週間
最低: 100
複数: 10

SMD/SMT Die N-Channel 120 V 1.5 A 1 Ohms - 3 V 6 GHz 4 GHz GaN
MACOM GaN FET GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 30 Watt 非在庫リードタイム 26 週間
最低: 10
複数: 10

SMD/SMT Die N-Channel 2 Channel 120 V 3 A 500 mOhms - 3 V 6 GHz 4 GHz GaN
MACOM GaN FET GaN HEMT 1.2-1.4GHz, 250 Watt 非在庫リードタイム 26 週間
最低: 1
複数: 1

Screw Mount 440162 N-Channel 150 V 18 A - 3 V - 40 C + 130 C 1.4 GHz 1.2 GHz GaN
MACOM GaN FET GaN HEMT 1.2-1.4GHz, 500 Watt リードタイム 26 週間
最低: 1
複数: 1

Screw Mount 440117 N-Channel 150 V 36 A - 3 V - 40 C + 130 C 1.4 GHz 1.2 GHz GaN
MACOM GaN FET GaN HEMT Die DC-18GHz, 6 Watt 非在庫リードタイム 26 週間
最低: 10
複数: 10

SMD/SMT Die N-Channel 100 V 800 mA 2.3 Ohms - 3 V 18 GHz 10 MHz GaN
MACOM GaN FET GaN HEMT DC-2.7GHz, 60 Watt 非在庫リードタイム 26 週間
最低: 250
複数: 250
: 250

SMD/SMT QSOP-20 N-Channel 150 V 6.3 A - 3 V - 40 C + 90 C 2.7 GHz 0 Hz GaN
MACOM GaN FET GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 40 Watt 非在庫リードタイム 26 週間
最低: 50
複数: 10

SMD/SMT Die N-Channel 2 Channel 50 V 3.2 A 6 GHz 0 Hz GaN
MACOM GaN FET GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 60 Watt

SMD/SMT Die N-Channel 4 Channel 120 V 6 A 250 mOhms - 3 V 6 GHz 4 GHz GaN
MACOM GaN FET GaN HEMT Die DC-18GHz, 70 Watt

SMD/SMT Die N-Channel 1 Channel 100 V 6 A 200 mOhms - 3 V + 225 C 18 GHz 10 MHz GaN
MACOM GaN FET GaN HEMT Die DC-4.0GHz, 320 Watt

SMD/SMT Die N-Channel 50 V 4 GHz 0 Hz GaN