UJ4C/SC 750V Gen 4 SiC FET

Qorvo UJ4C/SC 750V Gen 4 SiC FETは、業界で有数の性能指数を誇るハイパフォーマンス・シリーズの1製品です。高速(動作)での導電損失を低減して効率性を高め、全体的な費用対効果を改善します。Gen 4 シリーズは5.4mΩ ~60mΩ の範囲で選択でき、独自のカソード構造をベースにしています。高性能SiC JFETは、カソードが最適化されたSi-MOSFETと一緒にパッケージ化(コパッケージ化)されており、標準的なゲートドライブSiCデバイスを生産できます。UJ4C/SC 750V FETの標準的なゲートドライブ特性により、「ドロップイン交換」機能を実現できます。設計者は、既存のSi IGBT、Si FET、SiC FET、またはSiスーパージャンクションデバイスをQorvo UJ4C/SC FETに交換してゲートドライブ電圧を変更することなく、システム性能を大幅に高めることができます。

結果: 29
選択 画像 部品番号 メーカ 説明 データシート 在庫状況 価格: (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする 数量 RoHS ECADモデル 取り付け様式 パッケージ/ケース チャンネル数 Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧 Id - 連続ドレイン電流 Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース Vgs - ゲート-ソース間電圧 Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧 Qg - ゲート電荷 最低動作温度 最高動作温度 Pd - 電力損失 チャネルモード 認証 トレードネーム
onsemi SiC MOSFET 750V/23MOSICFETG4TO263 13在庫
カットテープ
¥3,346.9
¥2,139.4
¥2,018.1
¥1,910.2
リール
¥1,910.2
最低: 1
複数: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 750 V 64 A 29 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 278 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC MOSFET 750V/9MOSICFETG4TO247-4 非在庫リードタイム 31 週間
¥3,900
最低: 600
複数: 600
Through Hole TO-247-4 1 Channel 750 V 106 A 9 mOhms - 20 V, + 20 V 5.5 V 75 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC MOSFET 750V/10MOSICFETG4TOLL 非在庫リードタイム 27 週間
リール
¥3,222.3
最低: 2,000
複数: 2,000
: 2,000
SMD/SMT MO-229-8 1 Channel 750 V 106 A 10.7 mOhms - 20 V, + 20 V 5.5 V 75 nC - 55 C + 175 C 556 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC MOSFET UJ4SC075010L8S 在庫なし
SMD/SMT MO-229-8 1 Channel 750 V 106 A 10.7 mOhms - 20 V, + 20 V 5.5 V 75 nC - 55 C + 175 C 556 W Enhancement SiC FET