Infineon Technologies 1200V CoolSiCショットキーダイオード

Infineon 1200V CoolSiCショットキーダイオードは、TO-247に40A、TO-220に20A、DPAKで10Aの順方向電流で提供されます。CoolSiC Diodesは、ソーラーインバータ、UPS、3P SMPS、エネルギー貯蔵、モータ駆動アプリケーションを対象としています。順方向電圧と温度依存を低減することで、このダイオードは、新しいレベルのシステム効率をもたらします。さらに、シリコンベースのソリューションに比べて改善された熱性能によって、システムの信頼性および前提となるフォームファクタでの出力電力を向上する可能性が高くなっています。Si HighSpeed 3 IGBTと組み合わされており、 40%少ないSi IGBTターンオンロスとEMIの低減が実現します。

Infineon Technologies Gen 5 1200V CoolSiC Schottky Diodes offer improved thermal performance compared to a silicon-based solution increasing system reliability and the possibility to increase output power in a given form factor. Combined with a Si HighSpeed 3 IGBT, they deliver 40% lower Si IGBT turn-on losses and reduced EMI.

特徴

  • Zero diode turn-off loss
  • Improved thermal performance and lowered static losses
  • 2A up to 40A rated current
  • System efficiency improvement
  • 30% higher output power over Si diodes solution
  • High system reliability

アプリケーション

  • Solar, UPS, SMPS, Storage, Motor Drives, Welding
  • Micro Inverter, String Inverter, PFC Stage in UPS, Vienna Rectifier in UPS

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Block Diagram

ブロック図 - Infineon Technologies 1200V CoolSiCショットキーダイオード
公開: 2016-02-09 | 更新済み: 2024-01-10