IXYS IX4351NE 9A低圧側SiC MOSFET & IGBTドライバ
IXYS統合回路IX4351NE低圧側SiC MOSFET & IGBTドライバには、独立した9Aソースおよびシンク出力があり、スイッチング損失を最小限に抑えながらカスタムターンON/ターンOFFのタイミングが可能になります。IX4351NEには、dV/dt耐性の向上と高速ターンONを目的とした選択可能な負のゲート駆動バイアスを実現している内部負の充電レギュレータが備わっています。
不飽和検出回路は、SiC MOSFETの過電流状態を検出してソフトターンOFFを開始することによって、潜在的に有害なdV/dtイベントを防止します。ロジック入力は、TTLおよびCMOSとの互換性があります。この入力は、負のゲート駆動バイアス電圧であってもレベルシフトを必要としません。保護機能には、UVLOおよび熱シャットダウン検出があります。
IX4351NEは、熱的に強化された16ピンパワーSOICパッケージでご用意があり、-40°C～+125°Cの動作温度範囲に定格されています。
特徴
- 別途の9Aピークソースおよびシンク出力
- 動作電圧範囲-10V～+25V
- 選択可能な負のゲート駆動バイアスのための内部負の充電ポンプレギュレータ
- ソフトシャットダウン・シンクドライバによる不飽和検出
- TTL/CMOS互換入力
- 低電圧ロックアウト（UVLO）
- サーマルシャットダウン
- 開ドレイン障害出力
アプリケーション
- SiC MOSFETおよびIGBTの駆動
- オンボード充電器とDC充電ステーション
- 産業用インバータ
- PFC、AC/DC、DC/DCコンバータ
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標準アプリケーション回路
公開: 2019-11-20
| 更新済み: 2023-12-12