SiC MOSFET – Mouser 日本

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

CoolSiC™ MOSFET

Infineon CoolSiC™ MOSFETは、最先端のtrench半導体プロセスで構築されており、アプリケーションでの最低レベルの損失と、動作での最高レベルの信頼性の両方を実現できるように最適化されています。TOおよびSMD筐体のディスクリートCoolSiCポートフォリオは、650V、1,200V、1,700V電圧クラスになっており、オン抵抗定格は27mΩ ～最大1,000mΩ です。CoolSiC trench技術によって、各製品ポートフォリオにおけるアプリケーション固有の機能の実装に使用される柔軟性に富んだパラメータセットが実現します。これらの機能には、ゲート-ソース電圧、アバランシェ仕様、短絡機能、またはハード整流に定格された内部ボディダイオードがあります。

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

結果: 30

適用されたフィルタ:

取り付け様式

パッケージ/ケース

Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧

Id - 連続ドレイン電流

Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース

Vgs - ゲート-ソース間電圧

Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧

Qg - ゲート電荷

最高動作温度

Pd - 電力損失

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RoHS対応品

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

画像	部品番号	メーカ	説明	データシート	在庫状況	価格： (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする	数量	取り付け様式	パッケージ/ケース	チャンネル数	Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧	Id - 連続ドレイン電流	Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース	Vgs - ゲート-ソース間電圧	Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧	Qg - ゲート電荷	最低動作温度	最高動作温度	Pd - 電力損失	チャネルモード	トレードネーム
SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package IMBG120R090M1HXTMA1 Infineon Technologies 1: ¥1,225.8 839在庫 NRND	メーカ部品番号 IMBG120R090M1HXTMA1 Mouser 部品番号 726-IMBG120R090M1HXT NRND	Infineon Technologies	SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package	データシート	839在庫	カットテープ ¥1,225.8 ¥784 ¥720.9 ¥709.2 リール ¥657.8 MouseReel が利用可能	最低： 1 複数： 1 : 1,000	SMD/SMT	TO-263-7	1 Channel	1.2 kV	26 A	125 mOhms	- 7 V, + 20 V	5.1 V	23 nC	- 55 C	+ 175 C	136 W	Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package IMBG120R045M1HXTMA1 Infineon Technologies 1: ¥2,205.8 617在庫 NRND	メーカ部品番号 IMBG120R045M1HXTMA1 Mouser 部品番号 726-IMBG120R045M1HXT NRND	Infineon Technologies	SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package	データシート	617在庫	カットテープ ¥2,205.8 ¥1,368.7 ¥1,290.6 ¥1,227.5 リール ¥1,200.9 MouseReel が利用可能	最低： 1 複数： 1 : 1,000	SMD/SMT	TO-263-7	1 Channel	1.2 kV	47 A	45 mOhms	- 7 V, + 20 V	5.1 V	46 nC	- 55 C	+ 175 C	227 W	Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package IMZ120R140M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: ¥1,159.4 368在庫 NRND	メーカ部品番号 IMZ120R140M1HXKSA1 Mouser 部品番号 726-IMZ120R140M1HXKS NRND	Infineon Technologies	SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package	データシート	368在庫	¥1,159.4 ¥822.2 ¥705.9 ¥664.4	最低： 1 複数： 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	1.2 kV	19 A	182 mOhms	- 7 V, + 23 V	5.7 V	13 nC	- 55 C	+ 150 C	94 W	Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package IMBG120R060M1HXTMA1 Infineon Technologies 1: ¥1,581.3 303在庫 NRND	メーカ部品番号 IMBG120R060M1HXTMA1 Mouser 部品番号 726-IMBG120R060M1HXT NRND	Infineon Technologies	SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package	データシート	303在庫	カットテープ ¥1,581.3 ¥941.8 ¥885.3 ¥848.8 リール ¥837.1 MouseReel が利用可能	最低： 1 複数： 1 : 1,000	SMD/SMT	TO-263-7	1 Channel	1.2 kV	36 A	83 mOhms	- 7 V, + 20 V	5.1 V	34 nC	- 55 C	+ 175 C	181 W	Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET IMZA65R107M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: ¥1,104.6 240在庫製造中止	メーカ部品番号 IMZA65R107M1HXKSA1 Mouser 部品番号 726-IMZA65R107M1HXKS 製造中止	Infineon Technologies	SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET	データシート	240在庫	¥1,104.6 ¥704.3 ¥667.7 ¥666.1 ¥621.2	最低： 1 複数： 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	650 V	20 A	142 mOhms	- 5 V, + 23 V	5.7 V	15 nC	- 55 C	+ 150 C	75 W	Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package IMBG120R030M1HXTMA1 Infineon Technologies 1: ¥2,660.9 2,509在庫 NRND	メーカ部品番号 IMBG120R030M1HXTMA1 Mouser 部品番号 726-IMBG120R030M1HXT NRND	Infineon Technologies	SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package	データシート	2,509在庫	カットテープ ¥2,660.9 ¥1,584.6 リール ¥1,498.2 MouseReel が利用可能	最低： 1 複数： 1 : 1,000	SMD/SMT	TO-263-7	1 Channel	1.2 kV	56 A	41 mOhms	- 7 V, + 20 V	5.1 V	63 nC	- 55 C	+ 175 C	300 W	Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFET CoolSiC 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package IMBF170R450M1XTMA1 Infineon Technologies 1: ¥1,255.7 6,935在庫 3,000予想2027/07/29	メーカ部品番号 IMBF170R450M1XTMA1 Mouser 部品番号 726-IMBF170R450M1XTM	Infineon Technologies	SiC MOSFET CoolSiC 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package Infineon Technologies infineon 1700v sic mosfets についての詳細を表示	データシート	6,935在庫 3,000予想2027/07/29	カットテープ ¥1,255.7 ¥682.7 ¥626.2 ¥593 リール ¥529.9 MouseReel が利用可能	最低： 1 複数： 1 最大： 1,000 : 1,000	SMD/SMT	TO-263-7	1 Channel	1.7 kV	9.8 A	450 mOhms	- 10 V, + 20 V	4.5 V	11 nC	- 55 C	+ 175 C	107 W	Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package IMBG120R140M1HXTMA1 Infineon Technologies 1: ¥1,247.4 3,844在庫 NRND	メーカ部品番号 IMBG120R140M1HXTMA1 Mouser 部品番号 726-IMBG120R140M1HXT NRND	Infineon Technologies	SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package	データシート	3,844在庫	カットテープ ¥1,247.4 ¥669.4 ¥612.9 ¥611.2 リール ¥554.8 MouseReel が利用可能	最低： 1 複数： 1 : 1,000	SMD/SMT	TO-263-7	1 Channel	1.2 kV	18 A	189 mOhms	- 7 V, + 20 V	5.1 V	13.4 nC	- 55 C	+ 175 C	107 W	Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET IMW65R027M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: ¥2,484.9 1,751在庫 NRND	メーカ部品番号 IMW65R027M1HXKSA1 Mouser 部品番号 726-IMW65R027M1HXKSA NRND	Infineon Technologies	SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET Infineon Technologies infineon coolsic mosfets 650v についての詳細を表示	データシート	1,751在庫	¥2,484.9 ¥1,546.4 ¥1,441.7	最低： 1 複数： 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	650 V	47 A	34 mOhms	- 5 V, + 23 V	5.7 V	62 nC	- 55 C	+ 150 C	189 W	Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET IMW65R048M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: ¥1,787.2 362在庫 NRND	メーカ部品番号 IMW65R048M1HXKSA1 Mouser 部品番号 726-IMW65R048M1HXKSA NRND	Infineon Technologies	SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET Infineon Technologies infineon coolsic mosfets 650v についての詳細を表示	データシート	362在庫	¥1,787.2 ¥971.7 ¥898.6 ¥892	最低： 1 複数： 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	650 V	39 A	64 mOhms	- 5 V, + 23 V	5.7 V	33 nC	- 55 C	+ 150 C	125 W	Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package IMZ120R060M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: ¥1,770.6 900在庫 NRND	メーカ部品番号 IMZ120R060M1HXKSA1 Mouser 部品番号 726-IMZ120R060M1HXKS NRND	Infineon Technologies	SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package	データシート	900在庫	¥1,770.6 ¥1,084.6 ¥1,003.2 ¥948.4	最低： 1 複数： 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	1.2 kV	36 A	78 mOhms	- 7 V, + 23 V	5.7 V	31 nC	- 55 C	+ 150 C	150 W	Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET IMZA65R027M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: ¥2,609.4 1,467在庫 NRND	メーカ部品番号 IMZA65R027M1HXKSA1 Mouser 部品番号 726-IMZA65R027M1HXKS NRND	Infineon Technologies	SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET Infineon Technologies infineon coolsic mosfets 650v についての詳細を表示	データシート	1,467在庫	¥2,609.4 ¥1,496.6 ¥1,484.9	最低： 1 複数： 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	650 V	59 A	34 mOhms	- 5 V, + 23 V	5.7 V	63 nC	- 55 C	+ 150 C	189 W	Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET IMZA65R048M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: ¥1,727.4 313在庫 NRND	メーカ部品番号 IMZA65R048M1HXKSA1 Mouser 部品番号 726-IMZA65R048M1HXKS NRND	Infineon Technologies	SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET Infineon Technologies infineon coolsic mosfets 650v についての詳細を表示	データシート	313在庫	¥1,727.4 ¥994.9 ¥921.9 ¥918.5	最低： 1 複数： 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	650 V	39 A	64 mOhms	- 5 V, + 23 V	5.7 V	33 nC	- 55 C	+ 150 C	125 W	Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package IMBG120R220M1HXTMA1 Infineon Technologies 1: ¥1,084.6 2,502在庫 NRND	メーカ部品番号 IMBG120R220M1HXTMA1 Mouser 部品番号 726-IMBG120R220M1HXT NRND	Infineon Technologies	SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package	データシート	2,502在庫	カットテープ ¥1,084.6 ¥574.7 ¥513.2 リール ¥460.1 MouseReel が利用可能	最低： 1 複数： 1 : 1,000	SMD/SMT	TO-263-7	1 Channel	1.2 kV	13 A	294 mOhms	- 7 V, + 20 V	5.1 V	9.4 nC	- 55 C	+ 175 C	83 W	Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package IMBG120R350M1HXTMA1 Infineon Technologies 1: ¥956.7 1,430在庫 NRND	メーカ部品番号 IMBG120R350M1HXTMA1 Mouser 部品番号 726-IMBG120R350M1HXT NRND	Infineon Technologies	SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package	データシート	1,430在庫	カットテープ ¥956.7 ¥501.6 ¥456.8 ¥411.9 リール ¥411.9 MouseReel が利用可能	最低： 1 複数： 1 最大： 500 : 1,000	SMD/SMT	TO-263-7	1 Channel	1.2 kV	4.7 A	468 mOhms	- 7 V, + 20 V	5.1 V	5.9 nC	- 55 C	+ 175 C	65 W	Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package IMW120R090M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: ¥1,584.6 386在庫 720予想2026/10/16 NRND	メーカ部品番号 IMW120R090M1HXKSA1 Mouser 部品番号 726-IMW120R090M1HXKS NRND	Infineon Technologies	SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package	データシート	386在庫 720予想2026/10/16	¥1,584.6 ¥853.8 ¥787.3 ¥712.6	最低： 1 複数： 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	1.2 kV	26 A	117 mOhms	- 7 V, + 23 V	5.7 V	21 nC	- 55 C	+ 150 C	115 W	Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package IMW120R220M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: ¥1,081.3 3,907在庫 NRND	メーカ部品番号 IMW120R220M1HXKSA1 Mouser 部品番号 726-IMW120R220M1HXKS NRND	Infineon Technologies	SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package	データシート	3,907在庫	¥1,081.3 ¥616.2 ¥564.7 ¥533.2 ¥514.9	最低： 1 複数： 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	1.2 kV	13 A	289 mOhms	- 7 V, + 23 V	5.7 V	8.5 nC	- 55 C	+ 150 C	75 W	Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET IMW65R072M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: ¥1,373.6 314在庫 NRND	メーカ部品番号 IMW65R072M1HXKSA1 Mouser 部品番号 726-IMW65R072M1HXKSA NRND	Infineon Technologies	SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET Infineon Technologies infineon coolsic mosfets 650v についての詳細を表示	データシート	314在庫	¥1,373.6 ¥780.7 ¥719.2 ¥687.7	最低： 1 複数： 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	650 V	26 A	94 mOhms	- 5 V, + 23 V	5.7 V	22 nC	- 55 C	+ 150 C	96 W	Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET IMW65R107M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: ¥1,257.4 473在庫 NRND	メーカ部品番号 IMW65R107M1HXKSA1 Mouser 部品番号 726-IMW65R107M1HXKSA NRND	Infineon Technologies	SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET Infineon Technologies infineon coolsic mosfets 650v についての詳細を表示	データシート	473在庫	¥1,257.4 ¥659.4 ¥606.3 ¥559.8	最低： 1 複数： 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	650 V	20 A	142 mOhms	- 5 V, + 23 V	5.7 V	15 nC	- 55 C	+ 150 C	75 W	Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package IMZ120R090M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: ¥1,604.5 480在庫 480予想2026/10/01 NRND	メーカ部品番号 IMZ120R090M1HXKSA1 Mouser 部品番号 726-IMZ120R090M1HXKS NRND	Infineon Technologies	SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package	データシート	480在庫 480予想2026/10/01	¥1,604.5 ¥908.6 ¥838.8 ¥769	最低： 1 複数： 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	1.2 kV	26 A	117 mOhms	- 7 V, + 23 V	5.7 V	21 nC	- 55 C	+ 150 C	115 W	Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFET CoolSiC 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package IMBF170R1K0M1XTMA1 Infineon Technologies 1: ¥887 19在庫 25,000取寄中	メーカ部品番号 IMBF170R1K0M1XTMA1 Mouser 部品番号 726-IMBF170R1K0M1XTM	Infineon Technologies	SiC MOSFET CoolSiC 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package Infineon Technologies infineon 1700v sic mosfets についての詳細を表示	データシート	19在庫 25,000取寄中注文の出荷日メーカ番号： IMBF170R1K0M1XTMA1 在庫： 19 すぐに出荷可能取寄中: 2,000 予想2027/01/07 23,000 TBD 工場リードタイム： 60 週間	カットテープ ¥887 ¥470.1 ¥428.5 ¥372.1 リール ¥347.1 MouseReel が利用可能	最低： 1 複数： 1 : 1,000	SMD/SMT	TO-263-7	1 Channel	1.7 kV	5.2 A	1 Ohms	- 10 V, + 20 V	4.5 V	5 nC	- 55 C	+ 175 C	68 W	Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFET CoolSiC 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package IMBF170R650M1XTMA1 Infineon Technologies 1: ¥1,074.7 57在庫 2,000取寄中	メーカ部品番号 IMBF170R650M1XTMA1 Mouser 部品番号 726-IMBF170R650M1XTM	Infineon Technologies	SiC MOSFET CoolSiC 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package Infineon Technologies infineon 1700v sic mosfets についての詳細を表示	データシート	57在庫 2,000取寄中	カットテープ ¥1,074.7 ¥568.1 ¥516.6 ¥470.1 リール ¥416.9 MouseReel が利用可能	最低： 1 複数： 1 : 1,000	SMD/SMT	TO-263-7	1 Channel	1.7 kV	7.4 A	650 mOhms	- 10 V, + 20 V	4.5 V	8 nC	- 55 C	+ 175 C	88 W	Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package IMW120R030M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: ¥2,896.8 480予想2026/10/08 NRND	メーカ部品番号 IMW120R030M1HXKSA1 Mouser 部品番号 726-IMW120R030M1HXKS NRND	Infineon Technologies	SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package	データシート	480予想2026/10/08	¥2,896.8 ¥1,780.6 ¥1,607.8	最低： 1 複数： 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	1.2 kV	56 A	40 mOhms	- 7 V, + 23 V	5.7 V	63 nC	- 55 C	+ 150 C	227 W	Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package IMW120R140M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: ¥1,220.8 73在庫 240取寄中 NRND	メーカ部品番号 IMW120R140M1HXKSA1 Mouser 部品番号 726-IMW120R140M1HXKS NRND	Infineon Technologies	SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package	データシート	73在庫 240取寄中	¥1,220.8 ¥709.2 ¥651.1 ¥609.6	最低： 1 複数： 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	1.2 kV	19 A	182 mOhms	- 7 V, + 23 V	3.5 V	13 nC	- 55 C	+ 175 C	94 W	Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package IMW120R350M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: ¥978.3 53在庫 960取寄中 NRND	メーカ部品番号 IMW120R350M1HXKSA1 Mouser 部品番号 726-IMW120R350M1HXKS NRND	Infineon Technologies	SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package	データシート	53在庫 960取寄中注文の出荷日メーカ番号： IMW120R350M1HXKSA1 在庫： 53 すぐに出荷可能取寄中: 240 予想2026/11/19 720 予想2026/12/10 工場リードタイム： 53 週間	¥978.3 ¥519.9 ¥481.7 ¥440.2	最低： 1 複数： 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	1.2 kV	4.7 A	455 mOhms	- 7 V, + 23 V	5.7 V	5.3 nC	- 55 C	+ 150 C	60 W	Enhancement	CoolSiC