Gen IV SuperGaN® FETs

Renesas Electronics Gen IV SuperGaN® FETs are normally off devices enabling AC-DC bridgeless totem-pole PFC designs. These FETs feature a high voltage GaN High Electron Mobility Transistor (HEMT) with a low voltage silicon MOSFET and offer superior reliability and performance. The Gen IV SuperGaN platform has advanced epi and patented design technologies that simplify manufacturability. This design technology improves efficiency over silicon with a low gate charge, output capacitance, crossover loss, and reverse recovery charge. Renesas Electronics Gen IV FETs are available in a variety of options for datacom, computing, lighting, automotive, and other applications.

結果: 49
選択 画像 部品番号 メーカ 説明 データシート 在庫状況 価格: (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする 数量 RoHS ECADモデル 取り付け様式 パッケージ/ケース トランジスタ極性 チャンネル数 Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧 Id - 連続ドレイン電流 Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース Vgs - ゲート-ソース間電圧 Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧 Qg - ゲート電荷 最低動作温度 最高動作温度 Pd - 電力損失 チャネルモード トレードネーム 技術
Renesas Electronics GaN FET 650V, 30mohm GaN FET in TOLT 1,806在庫
カットテープ
¥1,769
¥981.7
¥930.2
リール
¥810.6
¥759.1
最低: 1
複数: 1
: 1,300
SMD/SMT TOLT-16 N-Channel 1 Channel 650 V 55.7 A 41 mOhms - 20 V, + 20 V 4.8 V 24.5 nC - 55 C + 150 C 192 W Enhancement SuperGaN GaN
Renesas Electronics GaN FET 650V, 30mohm GaN FET in TO247-3L 1,080在庫
¥1,847
¥1,028.2
¥951.8
¥827.2
最低: 1
複数: 1
Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 55.7 A 41 mOhms - 20 V, + 20 V 4.8 V 24.5 nC - 55 C + 150 C 192 W Enhancement SuperGaN GaN
Renesas Electronics GaN FET 650V, 30mohm GaN FET in TOLL 229在庫
カットテープ
¥1,759
¥1,171
¥1,036.5
¥910.2
¥812.2
リール
¥752.4
最低: 1
複数: 1
: 2,000
SMD/SMT TOLL-10 N-Channel 1 Channel 650 V 55.7 A 41 mOhms 4.8 V 24.5 nC - 55C + 150 C 192 W Enhancement SuperGaN GaN
Renesas Electronics GaN FET 650V, 50mohm GaN FET in TO247-4L 560在庫
¥1,735.7
¥1,026.5
¥870.4
¥755.8
最低: 1
複数: 1
Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 35 A 60 mOhms - 20 V, + 20 V 4.8 V 16 nC - 55 C + 150 C 132 W Enhancement SuperGaN GaN
Renesas Electronics GaN FET 650V, 70mohm GaN FET in 8x8 PQFN 2,607在庫
カットテープ
¥1,413.5
¥767.4
¥705.9
¥692.6
¥634.5
リール
¥564.7
最低: 1
複数: 1
: 3,000
SMD/SMT PQFN-3 N-Channel 1 Channel 650 V 29 A 85 mOhms - 20 V, + 20 V 4.8 V 8.4 nC - 55 C + 150 C 96 W Enhancement SuperGaN GaN
Renesas Electronics GaN FET 650V, 70mohm GaN FET in TO220 825在庫
カットテープ
¥1,365.3
¥759.1
¥696
¥588
リール
¥586.3
最低: 1
複数: 1
: 1,000
Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 29 A 85 mOhms - 20 V, + 20 V 4.7 V 9 nC - 55 C + 150 C 96 W Enhancement SuperGaN GaN
Renesas Electronics GaN FET 650V, 70mohm GaN FET in TOLT 1,615在庫
カットテープ
¥1,416.8
¥769
¥707.6
¥694.3
リール
¥568.1
¥566.4
最低: 1
複数: 1
: 1,300
SMD/SMT TOLT-16 N-Channel 1 Channel 650 V 29 A 85 mOhms - 20 V, + 20 V 4.8 V 9 nC - 55 C + 150 C 96 W Enhancement SuperGaN GaN
Renesas Electronics GaN FET 650V, 100mohm GaN FET in TO220 717在庫
カットテープ
¥1,099.6
¥583
¥533.2
¥446.8
リール
¥445.1
最低: 1
複数: 1
: 1,000
Through Hole TO-220-3 N-Channel 650 V 18.9 A 110 mOhms - 20 V, + 20 V 3.65 V 14.4 nC - 55 C + 150 C 65.8 W Enhancement SuperGaN GaN
Renesas Electronics GaN FET 650V, 480mohm GaN FET in 5x6 PQFN 3,744在庫
カットテープ
¥362.1
¥174.4
¥156.1
¥124.1
リール
¥97.7
最低: 1
複数: 1
: 4,000
SMD/SMT QFN-7 N-Channel 1 Channel 650 V 3.6 A 560 mOhms - 10 V, + 10 V 2.8 V 5 nC - 55 C + 150 C 13.2 W Enhancement SuperGaN GaN
Renesas Electronics GaN FET 650V, 70mohm GaN FET in 8x8 PQFN 2,446在庫
カットテープ
¥1,388.6
¥943.4
¥692.6
¥676
¥619.6
リール
¥551.5
最低: 1
複数: 1
: 3,000
SMD/SMT PQFN-8 N-Channel 1 Channel 650 V 29 A 85 mOhms - 20 V, + 20 V 4.6 V 8.4 nC - 55 C + 150 C 96 W Enhancement SuperGaN GaN
Renesas Electronics GaN FET 650V, 150mohm GaN FET in TO220 1,756在庫
¥898.6
¥486.7
¥433.5
¥362.1
最低: 1
複数: 1
Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 13 A 180 mOhms - 20 V, + 20 V 4.8 V 8 nC - 55 C + 150 C 52 W Enhancement SuperGaN GaN
Renesas Electronics GaN FET 650V, 480mohm GaN FET in 5x6 PQFN 1,475在庫
カットテープ
¥362.1
¥174.4
¥156.1
¥124.1
リール
¥97.7
最低: 1
複数: 1
: 4,000
SMD/SMT PQFN-3 N-Channel 1 Channel 650 V 3.6 A 560 mOhms - 18 V, + 18 V 2.8 V 9 nC - 55 C + 150 C 13.2 W Enhancement SuperGaN GaN
Renesas Electronics GaN FET 650V, 110mohm GaN BDS in TOLT
1,142取寄中
カットテープ
¥1,325.5
¥933.5
¥755.8
¥671
¥554.8
リール
¥538.2
最低: 1
複数: 1
: 1,500
SuperGaN
Renesas Electronics GaN FET 700V, 135mohm GaN FET in 5x6 PQFN IP 非在庫リードタイム 18 週間
リール
¥186
最低: 5,000
複数: 5,000
: 5,000
SMD/SMT PQFN-8 N-Channel 1 Channel 700 V 15.8 A 169 mOhms 20 V 2.5 V 5.9 nC - 55 C + 150 C 69.4 W Enhancement SuperGaN GaN
Renesas Electronics GaN FET 700V, 135mohm GaN FET in 8x8 PQFN IP 非在庫リードタイム 18 週間
リール
¥201
最低: 3,000
複数: 3,000
: 3,000
SMD/SMT PQFN-8 N-Channel 1 Channel 700 V 14.6 A 169 mOhms 20 V 2.5 V 5.9 nC - 55 C + 150 C 59.5 W Enhancement SuperGaN GaN
Renesas Electronics GaN FET 650V, 35mohm GaN FET in TO247-4L 非在庫リードタイム 18 週間
¥900.3
最低: 1,200
複数: 600
Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 46.5 A 41 mOhms - 20 V, + 20 V 3.6 V 42.7 nC - 55 C + 150 C 156 W Enhancement SuperGaN GaN
Renesas Electronics GaN FET 650V, 50mohm GaN FET in TOLL 非在庫リードタイム 18 週間
リール
¥700.9
最低: 2,000
複数: 2,000
: 2,000
SMD/SMT TOLL-8 N-Channel 1 Channel 650 V 34 A 60 mOhms - 20 V, + 20 V 4.8 V 16 nC - 55 C + 150 C 119 W Enhancement SuperGaN GaN
Renesas Electronics GaN FET 650V, 70mohm GaN FET in 8x8 PQFN 非在庫リードタイム 18 週間
リール
¥509.9
最低: 3,000
複数: 3,000
: 3,000
PQFN-8 650 V SuperGaN
Renesas Electronics GaN FET 650V, 70mohm GaN FET in 8x8 PQFN 非在庫リードタイム 18 週間
リール
¥506.6
最低: 3,000
複数: 3,000
: 3,000
PQFN-8 650 V SuperGaN
Renesas Electronics GaN FET 650V, 70mohm GaN FET in TOLL 非在庫リードタイム 18 週間
リール
¥498.3
最低: 2,000
複数: 2,000
: 2,000
SMD/SMT TOLL-8 N-Channel 1 Channel 650 V 29 A 60 mOhms - 20 V, + 20 V 4.8 V 8.4 nC - 55 C + 150 C 96 W Enhancement SuperGaN GaN
Renesas Electronics GaN FET 650V, 100mohm GaN FET in 8x8 PQFN 非在庫リードタイム 18 週間
リール
¥343.8
最低: 3,000
複数: 3,000
: 3,000
SMD/SMT PQFN-8 N-Channel 1 Channel 650 V 18.9 A 110 mOhms - 20 V, + 20 V 4.1 V 14.4 nC - 55 C + 150 C Enhancement SuperGaN GaN
Renesas Electronics GaN FET 700V, 130mohm GaN FET in 8x8 PQFN PP 非在庫リードタイム 18 週間
リール
¥201
最低: 3,000
複数: 3,000
: 3,000
SMD/SMT PQFN-3 N-Channel 1 Channel 700 V 16 A 163 mOhms 20 V 4.8 V 10.7 nC - 55 C + 150 C 69.4 W Enhancement SuperGaN GaN
Renesas Electronics GaN FET 700V, 130mohm GaN FET in TO-220 非在庫リードタイム 18 週間
¥669.4
¥340.5
¥308.9
¥252.5
最低: 1
複数: 1
Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 700 V 16 A 163 mOhms 20 V 4.8 V 10.7 nC - 55 C + 150 C 69.4 W Enhancement SuperGaN GaN
Renesas Electronics GaN FET 700V, 150mohm GaN FET in 8x8 PQFN 非在庫リードタイム 18 週間
リール
¥222.6
最低: 3,000
複数: 3,000
: 3,000
700 V SuperGaN GaN
Renesas Electronics GaN FET 700V, 150mohm GaN FET in 8x8 PQFN 非在庫リードタイム 18 週間
リール
¥209.3
最低: 3,000
複数: 3,000
: 3,000
700 V SuperGaN GaN