炭化ケイ素1200V MOSFETとダイオード

Wolfspeedシリコンカーバイド（SiC）1200V MOSFETとダイオードは、要求水準の高い用途で高効率を達成するための強力な相互作用を生み出します。これらのMOSFETおよびショットキーダイオードは、高電力アプリケーションでの使用を目的に設計されています。1200V SiC MOSFETは、安定したR_ds(on) 過熱耐性およびアバランシェ耐性を特徴としています。これらのMOSFETは、外付けダイオードを必要としない堅牢なボディダイオードで、15Vゲートドライブが備わっているため駆動が簡単です。1200V SiC MOSFETは、スイッチング損失と伝導損失を低減し、システムレベルの電力密度を改善することで、システムレベルの効率を向上させます。