結果: 35
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 メーカ
説明 データシート 在庫状況 価格： (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする
数量 RoHS ECADモデル 技術
取り付け様式
パッケージ/ケース
トランジスタ極性
チャンネル数
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧
Id - 連続ドレイン電流
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース
Vgs - ゲート-ソース間電圧
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧
Qg - ゲート電荷
最低動作温度
最高動作温度
Pd - 電力損失
チャネルモード
トレードネーム
パッケージ化
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 600V 10.6A DPAK-2
データシート
7,255在庫
最低： 1
複数： 1
: 2,500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 600 V 10.6 A 380 mOhms 20 V 3.5 V 19 nC - 55 C + 150 C 31 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER PRICE/PERFORM
データシート
714在庫
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 37.9 A 89 mOhms 20 V 3.5 V 70 nC - 55 C + 150 C 278 W Enhancement CoolMOS Tube

Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_LEGACY
データシート
803在庫
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 23.8 A 144 mOhms 20 V 3.5 V 44 nC - 55 C + 150 C 176 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER PRICE/PERFORM
データシート
3,840在庫
最低： 1
複数： 1
: 3,000

Si SMD/SMT VSON-4 N-Channel 1 Channel 600 V 22.4 A 162 mOhms 20 V 3.5 V 44 nC - 40 C + 150 C 176 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape

Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_PRC/PRFRM
データシート
469在庫
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 20.2 A 171 mOhms 20 V 3.5 V 37 nC - 55 C + 150 C 151 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_PRC/PRFRM
データシート
718在庫
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 20.2 A 190 Ohms 20 V 3.5 V 37 nC - 55 C + 150 C 34 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_PRC/PRFRM
データシート
621在庫
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 20.2 A 190 mOhms 20 V 3.5 V 37 nC - 55 C + 150 C 151 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET LOW POWER_PRC/PRFRM
データシート
421在庫
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 7.3 A 540 mOhms 20 V 3.5 V 12 nC - 55 C + 150 C 28 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET LOW POWER_LEGACY
データシート
1,971在庫
MouseReel が利用可能
最低： 1
複数： 1
: 2,500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 600 V 7.3 A 600 mOhms 20 V 4 V 12 nC - 55 C + 150 C 63 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER PRICE/PERFORM
データシート
377在庫
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 37.9 A 89 mOhms 20 V 3.5 V 70 nC - 55 C + 150 C 34 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER PRICE/PERFORM
データシート
782在庫
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 30 A 113 mOhms 20 V 3.5 V 56 nC - 55 C + 150 C 34 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 600V 7.7A TO220FP-3
データシート
990在庫
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 13.8 A 252 mOhms 20 V 3.5 V 25.5 nC - 55 C + 150 C 32 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER PRICE/PERFORM
データシート
844在庫
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 37.9 A 89 mOhms 20 V 3.5 V 70 nC - 55 C + 150 C 34 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_PRICE/PERFORM
データシート
5,007在庫
最低： 1
複数： 1
: 1,000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 23.8 A 160 mOhms 20 V 4 V 44 nC - 55 C + 150 C 176 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape

Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER PRICE/PERFORM
データシート
450在庫
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 77.5 A 37 mOhms 20 V 3.5 V 170 nC - 55 C + 150 C 481 W Enhancement CoolMOS Tube

Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER PRICE/PERFORM
データシート
721在庫
1,200取寄中
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 77.5 A 37 mOhms 20 V 3.5 V 170 nC - 55 C + 150 C 481 W Enhancement CoolMOS Tube

Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER PRICE/PERFORM
データシート
1,073在庫
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 37.9 A 89 mOhms 20 V 3.5 V 70 nC - 55 C + 150 C 278 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 600V 8.6A TO220FP-3
データシート
447在庫
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 16.8 A 538 mOhms 20 V 4 V 31 nC - 55 C + 150 C 33 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 600V 7.7A TO220FP-3
データシート
419在庫
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 13.8 A 252 mOhms 20 V 3.5 V 25.5 nC - 55 C + 150 C 32 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER PRICE/PERFORM
データシート
486在庫
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 37.9 A 89 mOhms 20 V 3.5 V 70 nC - 55 C + 150 C 278 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER PRICE/PERFORM
データシート
266在庫
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 30 A 113 mOhms 20 V 3.5 V 56 nC - 55 C + 150 C 219 W Enhancement CoolMOS Tube

Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER PRICE/PERFORM
データシート
181在庫
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 53.5 A 63 mOhms 20 V 3.5 V 100 nC - 55 C + 150 C 391 W Enhancement CoolMOS Tube

Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER PRICE/PERFORM
データシート
326在庫
720予想2026/10/09
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 53.5 A 63 mOhms 20 V 3.5 V 100 nC - 55 C + 150 C 391 W Enhancement CoolMOS Tube

Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER PRICE/PERFORM
データシート
132在庫
240予想2026/10/01
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 37.9 A 99 mOhms 20 V 3.5 V 70 nC - 55 C + 150 C 278 W Enhancement CoolMOS Tube

Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_LEGACY
データシート
343在庫
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 23.8 A 144 mOhms 20 V 3.5 V 44 nC - 55 C + 150 C 176 W Enhancement CoolMOS Tube