D2シリーズNチャンネル空乏モードパワーMOSFET

IXYS D2シリーズ100V-1700V Nチャンネル空乏モードパワーMOSFETは、「通常ON」モードで動作する空乏モードデバイスで、ゲート端子でゼロ電源ON電圧が必要です。このシリーズは、最高1700Vまでの阻止電圧とドレイン-ソース間抵抗を実現しており、連続的に「ON」になる(緊急または盗難警報器などの)システムでの簡素化された制御と電力散逸の低減を実現できます。

結果: 34
選択 画像 部品番号 メーカ 説明 データシート 在庫状況 価格: (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする 数量 RoHS ECADモデル 技術 取り付け様式 パッケージ/ケース トランジスタ極性 チャンネル数 Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧 Id - 連続ドレイン電流 Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース Vgs - ゲート-ソース間電圧 Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧 Qg - ゲート電荷 最低動作温度 最高動作温度 Pd - 電力損失 チャネルモード パッケージ化
IXYS MOSFET N-CH MOSFETS (D2) 1000V 6A 3,642在庫
¥1,808.8
¥1,164.4
¥1,107.9
¥1,064.7
最低: 1
複数: 1
Si SMD/SMT TO-263AA-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 6 A 2.2 Ohms 20 V 2.5 V 95 nC - 55 C + 150 C 300 W Depletion Tube
IXYS MOSFET D2 Depletion Mode Power MOSFET 786在庫
¥4,434.9
¥3,303.7
¥3,028
¥2,886.8
最低: 1
複数: 1
Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 1 kV 10 A 1.5 Ohms 20 V 4.5 V 200 nC - 55 C + 150 C 695 W Depletion Tube

IXYS MOSFET N-CH 200V 16A MOSFET 502在庫
¥4,130.9
¥2,612.8
最低: 1
複数: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 200 V 16 A 80 mOhms 20 V 4.5 V 208 nC - 55 C + 150 C 695 W Depletion Tube
IXYS MOSFET N-CH MOSFETS (D2) 1000V 800MA 1,703在庫
¥950.1
¥498.3
¥423.6
¥382
最低: 1
複数: 1
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 1 kV 1.6 A 10 Ohms 20 V 4.5 V 27 nC - 55 C + 150 C 100 W Depletion Tube
IXYS MOSFET N-CH MOSFETS (D2) 500V 3A 3,471在庫
¥514.9
最低: 1
複数: 1
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 500 V 3 A 1.5 Ohms 20 V 4.5 V 40 nC - 55 C + 150 C 125 W Depletion Tube
IXYS MOSFET TO263 1KV 6A N-CH DEPL 679在庫
¥3,328.6
¥2,303.8
¥1,935.1
最低: 1
複数: 1
Si SMD/SMT TO-263AA-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 6 A 2.2 Ohms 20 V 2.5 V 95 nC - 55 C + 150 C 300 W Depletion Tube
IXYS MOSFET N-CH MOSFETS (D2) 1000V 3A 697在庫
¥1,498.2
¥818.9
¥750.8
¥699.3
最低: 1
複数: 1
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 1 kV 3 A 6 Ohms 20 V 4.5 V 37.5 nC - 55 C + 150 C 125 W Depletion Tube

IXYS MOSFET TO247 1KV 10A N-CH DEPL 275在庫
300予想2026/10/26
¥3,968.1
¥2,822
¥2,772.2
¥2,612.8
最低: 1
複数: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 10 A 1.5 Ohms 20 V 4.5 V 200 nC - 55 C + 150 C 695 W Depletion Tube

IXYS MOSFET N-CH 500V 16A MOSFET 861在庫
¥3,371.8
¥2,106.1
¥2,041.4
最低: 1
複数: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 500 V 16 A 300 mOhms 20 V 4 V 199 nC - 55 C + 150 C 695 W Depletion Tube

IXYS MOSFET N-channel MOSFET 302在庫
¥4,692.3
¥3,092.8
¥3,057.9
最低: 1
複数: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.7 kV 2 A 6.5 Ohms 20 V 4.5 V 110 nC - 55 C + 150 C 568 W Enhancement Tube

IXYS MOSFET N-CH MOSFETS (D2) 500V 6A 469在庫
¥2,307.1
¥1,288.9
¥1,230.8
最低: 1
複数: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 500 V 6 A 550 mOhms 20 V 4.5 V 96 nC - 55 C + 150 C 300 W Depletion Tube
IXYS MOSFET N-CH MOSFETS 1000V 800MA 1,667在庫
¥789
¥438.5
¥373.7
¥313.9
最低: 1
複数: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 800 mA 21 Ohms 20 V 4 V 14.6 nC - 55 C + 150 C 60 W Depletion Tube
IXYS MOSFET N-CH MOSFETS (D2) 1000V 3A 886在庫
1,000予想2026/09/30
¥1,092.9
¥579.7
¥528.2
¥518.2
最低: 1
複数: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 3 A 6 Ohms 20 V 4.5 V 37.5 nC - 55 C + 150 C 125 W Depletion Tube
IXYS MOSFET N-CH MOSFETS (D2) 500V 3A 1,240在庫
¥792.3
¥495
¥478.4
¥465.1
¥458.4
最低: 1
複数: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 500 V 3 A 1.5 Ohms 20 V 4.5 V 40 nC - 55 C + 150 C 125 W Depletion Tube
IXYS MOSFET N-CH MOSFETS (D2) 1000V 6A 525在庫
¥1,969.9
¥1,146.1
¥1,058.1
¥1,046.4
最低: 1
複数: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 6 A 2.2 Ohms 20 V 2.5 V 95 nC - 55 C + 150 C 300 W Depletion Tube
IXYS MOSFET D2 Depletion Mode Power MOSFET 360在庫
450予想2026/11/03
¥4,494.7
¥3,029.7
¥2,896.8
最低: 1
複数: 1
Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 500 V 16 A 300 mOhms 20 V 2 V 199 nC - 55 C + 150 C 695 W Depletion Tube
IXYS MOSFET N-CH MOSFETS 500V 800MA 6,445在庫
¥724.2
¥476.7
¥320.6
¥272.4
¥270.7
最低: 1
複数: 1
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 500 V 800 mA 4.6 Ohms 20 V 4.5 V 12.7 nC - 55 C + 150 C 60 W Depletion Tube
IXYS MOSFET N-CH MOSFETS (D2) 1000V 800MA 52在庫
3,050取寄中
¥810.6
¥426.9
¥385.4
¥304
最低: 1
複数: 1
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 1 kV 800 mA 21 Ohms 20 V 4 V 14.6 nC - 55 C + 150 C 60 W Enhancement Tube
IXYS MOSFET TO263 1KV .8A N-CH HIVOLT 3在庫
400予想2026/12/15
¥1,142.8
¥684.3
¥549.8
¥509.9
最低: 1
複数: 1
Si SMD/SMT TO-263HV-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 800 mA 21 Ohms 20 V 4 V 14.6 nC - 55 C + 150 C 60 W Depletion Tube
IXYS MOSFET N-CH MOSFETS (D2) 500V 800MA 556在庫
40予想2026/10/28
¥782.3
¥400.3
¥363.8
¥338.8
¥299
最低: 1
複数: 1
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 500 V 800 mA 4.6 Ohms 20 V 4.5 V 12.7 nC - 55 C + 150 C 60 W Depletion Tube
IXYS MOSFET TO263 1KV 1A N-CH DEPL 300在庫
¥1,325.5
¥887
¥712.6
¥632.8
¥561.4
最低: 1
複数: 1
Si SMD/SMT TO-263HV-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 1.6 A 10 Ohms 20 V 2.5 V 27 nC - 55 C + 150 C 100 W Depletion Tube

IXYS MOSFET 6Amps 1000V 163在庫
¥2,297.2
¥1,332.1
¥1,237.4
¥1,230.8
最低: 1
複数: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 6 A 2.2 Ohms 20 V 2.5 V 95 nC - 55 C + 150 C 300 W Depletion Tube
IXYS MOSFET N-CH MOSFETS 500V 800MA 465在庫
¥717.6
¥430.2
¥337.2
¥274.1
最低: 1
複数: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 500 V 800 mA 4.6 Ohms 20 V 2.5 V 12.7 nC - 55 C + 150 C 60 W Depletion Tube
IXYS MOSFET N-CH MOSFETS (D2) 1000V 1.6A 593在庫
¥913.6
¥476.7
¥431.9
¥362.1
最低: 1
複数: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 1.6 A 10 Ohms 20 V 4.5 V 27 nC - 55 C + 150 C 100 W Depletion Tube
IXYS MOSFET N-CH MOSFETS (D2) 500V 1.6A 237在庫
¥913.6
¥476.7
¥431.9
¥367.1
¥362.1
最低: 1
複数: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 500 V 1.6 A 2.3 Ohms 20 V 4.5 V 23.7 nC - 55 C + 150 C 100 W Depletion Tube