MACOM Wolfspeed CGHV96100F2 GaN HEMT

Wolfspeed CGHV96100F2 GaN HEMTオンシリコンカーバイド（SiC）基板は、他のテクノロジーに比べて優れた電力付加効率が備わっている内部整合されている（IM）FETです。GaNには、シリコンやガリウムヒ素と比較して、高い降伏電圧や高い飽和電子ドリフト速度、熱伝導率などの優れた特性があります。また、GaN HEMTはGaAs トランジスタと比較して、より優れた電力密度と広い帯域幅も実現しています。このIM FETは、最適な電気および熱性能のためのメタル/セラミック・フランジ付きパッケージでご用意があります。