Diodes Incorporated DMTH64M2LPDWデュアルNチャンネルEモードMOSFET
ダイオーズ(Diodes Incorporated)DMTH64M2LPDWデュアルNチャンネルエンハンストモードMOSFETは、効率性の高いパワースイッチングアプリケーション用に設計されています。DMTH64M2LPDWには、2つのMOSFETが単一PowerDI® 5mm x 6mmパッケージに統合されており、コンパクトなサイズと優れた熱性能が備わっています。各チャンネルは、低オン抵抗[RDS (on)]および高電流能力が特徴で、DC-DCコンバータでの同期整流、コンピューティングシステムでの電源管理、バッテリ保護回路に最適です。60Vの最大ドレイン-ソース電圧および最大90Aの連続ドレイン電流が備わっているこのDiodes Incデバイスによって、高速スイッチングと低導通損失が保証されます。堅牢な設計に加え、低ゲート電荷と高アバランシェ耐量を備えており、サーバーマザーボード、グラフィックスカード、携帯電子機器などの過酷な環境でも高い信頼性を発揮します。特徴
- 生産工程で100%非クランプ誘導スイッチング(UIS)試験を実施し、エンドアプリケーションの信頼性と堅牢性を確保
- 熱効率に優れたパッケージにより、動作温度を低減
- 高変換効率
- 低RDS(ON) – ON状態での損失を最小化
- 低入力容量
- 高速スイッチング速度
- 1.1mm未満の薄型パッケージで、薄型アプリケーションに最適
- 完全鉛フリー仕様で、完全RoHS準拠
- ハロゲン・アンチモンフリー、グリーンデバイス
アプリケーション
- ワイヤレス充電
- DC/DCコンバータ
- 電源管理
仕様
- 最大ドレイン–ソース間電圧:60V
- 最大ゲート–ソース間電圧:±20V
- 最大パルスドレイン電流:360A
- 最大連続ボディダイオード順方向電流:90A
- 最大パルスボディダイオード順方向電流:360A
- 最大アバランシェ電流:49A
- 最大アバランシェエネルギー:125mJ
- 総電力損失範囲:2.9W~74W
- オフ特性
- ドレイン・ソース破壊電圧:60V
- 1µA最大ゼロゲート電圧ドレイン電流
- 最大ゲート–ソースリーク電流:±100nA
- On特性
- ゲート閾値電圧範囲:1.2V~2.2V
- 最大静止ドレイン–ソースオン抵抗範囲:5.0mΩ~7.8mΩ
- 最大ダイオード順方向電圧:1.2V
- 熱抵抗
- 接合部–周囲温度間熱抵抗:51°C/W
- 接合部–ケース間熱抵抗:2.04°C/W
- 動的特性
- 標準入力容量:2,963pF
- 標準出力容量:1,070pF
- 逆転送静電容量:標準68pF
- 標準ゲート抵抗:0.97Ω
- 標準総ゲート電荷範囲:25nC~48nC
- 標準ゲート-ソース電荷:8.5nC
- 標準ゲート–ドレイン電荷:7.2nC
- 標準ターンオン遅延時間 :5.2ns
- 標準ターンオン立ち上がり時間:22ns
- 標準ターンオフ遅延時間:55ns
- 標準ターンオフ下降時間:38ns
- 標準的な逆回復時間 56ns
- 標準逆回復充電:141nC
- 動作温度範囲: -55°C~+175°C
- PowerDI5060-8/SWP(タイプUXD)パッケージ
- UL 94V-0規格認定の成形プラスチック、「グリーン」モールド化合物を採用
- 銅リードフレーム上でアニールされたマット錫端子仕上げ、MIL-STD-202、Method 208に準じたはんだ付けが可能
公開: 2025-10-22
| 更新済み: 2025-10-31
