Infineon Technologies 650V CoolSiC™ M1トレンチパワーMOSFET
Infineon Technologies 650V CoolSiC™ M1トレンチパワーMOSFETは、シリコンカーバイドに固有の強い物理特性をさらに強化したことで、デバイスの性能、堅牢性、使い易さを改善する独自の特長を備えています。CoolSiC M1 MOSFETは、極めて高い動作時の信頼性と非常に低いアプリケーション損失を実現するように最適化された最先端トレンチ半導体プロセスを使って製造されています。高温や過酷環境下での動作に適しており、システムの複雑度およびコストの低減し、最高レベルの効率を実現できます。
CoolSiC M1 MOSFETは、小型のTO-247 3ピン/4ピンパッケージを採用し、Pbフリー、ハロゲンフリー、RoHSに準拠しています。
特徴
- 低容量
- さらなる大電流での最適化されたスイッチング動作
- 低い逆回復電荷 (Qrr) を提供する、整流部の堅牢な高速ボディダイオード
- 優れたゲート酸化物信頼性
- 優れた熱挙動
- アバランシェ機能の向上
- スタンダードのドライバで作動
- 高性能、高信頼性、使いやすさ
- 高システム効率を実現
- システムのコストと複雑性を削減
- さらなる小型システムサイズを実現
- 連続ハード通信を用いたトポロジで作動
- 高温および過酷動作に適合
- 双方向トポロジが可能
アプリケーション
- サーバ
- テレコム
- SMPS
- エネルギーストレージとバッテリフォーメーション
- 太陽エネルギーシステム/太陽光発電インバータ
- UPS
- EV充電インフラ
- モータドライブ
- Class Dアンプ
ビデオ
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開発ツール
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パッケージの外形 (TO-247 3ピン)
パッケージの外形 (TO-247 4ピン)
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| 部品番号 | データシート | パッケージ/ケース | Id - 連続ドレイン電流 | Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース | Qg - ゲート電荷 | Pd - 電力損失 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IMBG65R057M1HXTMA1 |  |
39 A | 74 mOhms | 28 nC | 161 W | |
| IMBG65R260M1HXTMA1 | |
6 A | 346 mOhms | 22 nC | 65 W | |
| IMBG65R163M1HXTMA1 | |
17 A | 217 mOhms | 27 nC | 85 W | |
| IMBG65R022M1HXTMA1 | |
64 A | 30 mOhms | 67 nC | 300 W | |
| IMBG65R107M1HXTMA1 | |
24 A | 141 mOhms | 35 nC | 110 W | |
| IMBG65R083M1HXTMA1 | |
28 A | 111 mOhms | 44 nC | 126 W | |
| IMBG65R039M1HXTMA1 | |
54 A | 51 mOhms | 41 nC | 211 W | |
| IMBG65R030M1HXTMA1 | |
63 A | 42 mOhms | 49 nC | 234 W | |
| IMZA65R107M1HXKSA1 | |
TO-247-4 | 20 A | 142 mOhms | 15 nC | 75 W |
| IMBG65R072M1HXTMA1 | |
33 A | 94 mOhms | 22 nC | 140 W |
公開: 2020-01-22
| 更新済み: 2024-09-23