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Infineon Technologies CoolSiC™1400VSiC G2 MOSFET

Infineon Technologies CoolSiC™ 1400V シリコンカーバイド (SiC) G2 MOSFETは、TO-247PLUS-4リフローパッケージで提供されます。これらのInfineon MOSFETは、EV充電、バッテリーエネルギー貯蔵システム (BESS)、商用車/建設機械/農業車両 (CAV)、その他の高出力電力アプリケーションに最適です。CoolSiC™ MOSFET G2 1400V技術は、熱性能の改善、電力密度の向上、さらに高い信頼性を実現した最先端の技術です。このパッケージは、リフロー対応能力（3xリフローはんだ付けが可能）が特長で、熱抵抗を低減します。

特徴

  • 超低スイッチング損失
  • パッケージの裏面は、+260°Cで3回のリフローはんだ付けに最適
  • 過負荷動作：最高Tvj = +200°C
  • 短絡耐久時間：2μs
  • ベンチマークゲート閾値電圧 4.2V
  • 電力密度とシステム出力電力の増大
  • 寄生電源onに対する堅牢性、0VターンOFFゲート電圧を適用可能
  • 転流用本格使用に備えた堅牢なボディダイオード
  • ミラー効果に対する堅牢性
  • 。クラス最高の熱性能のためのXT相互接続技術
  • 全体効率の向上
  • 簡単な並列接続
  • 過渡過負荷およびアバランシェ状態に対する堅牢性
  • 大電流能力用の広い2mm電源ピン
  • 直接バスバー接続用の抵抗溶接可能なピン
  • TO247PLUS（PG-TO247-4-U08）パッケージで、10.8mmの高沿面距離およびCTI ≥ 600V
  • JEDEC47/20/22に準拠した産業用アプリケーション向けに認定済み
  • 無鉛、ハロゲンフリー、RoHS準拠のグリーンデバイス

アプリケーション

  • CAV
  • EV充電
  • オンライン/産業用無停電電源装置（UPS）
  • ストリングインバータ
  • BESS
  • 汎用ドライブ（GPD）

仕様

  • 1400V最高ドレイン-ソース間電圧
  • 5.5V最高ドレイン-ソース間逆電圧
  • 連続DCドレイン電流範囲
    • IMYR140R008M2H: 147A～207A
    • IMYR140R019M2H: 71A～100A
  • 213A（IMYR140R019M2H）または441A（IMYR140R008M2H）ピークドレイン電流
  • 最高ゲート-ソース間電圧範囲
    • 過渡電圧範囲：-10V〜25V
    • 静的電圧範囲：-7V〜23V
  • アバランシェエネルギー
    • 1159mJシングルパルスおよび5.8mJ繰り返し（IMYR140R008M2H向け）
    • 506mJシングルパルスおよび2.5mJ繰り返し（IMYR140R019M2H向け）
  • 最大短絡時間：2μs
  • 電力損失範囲
    • IMYR140R008M2H: 360W～710W
    • IMYR140R019M2H: 192W～385W
  • 推奨ゲート電圧範囲
    • IMYR140R008M2H: 15V～18V
    • IMYR140R019M2H: -5V～0V 
  • 23.4mΩ（IMYR140R008M2H）または53.8mΩ（IMYR140R019M2H）最高ドレイン-ソース間on状態抵抗
  • 5.1V最高ゲート-ソース間閾値電圧
  • 300µA（IMYR140R019M2H）または690µA（IMYR140R008M2H）最大ゼロゲート電圧ドレイン電流
  • ±120nA最大ゲート漏れ電流
  • 27S（IMYR140R019M2H）または63S（IMYR140R008M2H）標準順方向トランスコンダクタンス
  • 2.1Ω（IMYR140R019M2H）または4.4Ω（IMYR140R008M2H）の標準内部ゲート抵抗
  • 標準容量
    • 2860pF（IMYR140R019M2H）または6450pF（IMYR140R008M2H）入力
    • 99pF（IMYR140R019M2H）または225pF（IMYR140R008M2H）出力
    • 9pF（IMYR140R019M2H）または20pF（IMYR140R008M2H）逆転送
  • 172nC（IMYR140R019M2H）または394nC（IMYR140R008M2H）標準出力電荷
  • 標準有効出力容量
    • 197pF（IMYR140R019M2H）または447pF（IMYR140R008M2H）エネルギー関連
    • 215pF（IMYR140R019M2H）または493pF（IMYR140R008M2H）時間関連
  • 90nC（IMYR140R019M2H）または203nC（IMYR140R008M2H）全ゲート電荷
  • 30nC（IMYR140R019M2H）または67nC（IMYR140R008M2H）プラトーゲート電荷
  • 18nC（IMYR140R019M2H）または40nC（IMYR140R008M2H）ゲート-ドレイン間電荷
  • 標準時間
    • 9ns（IMYR140R019M2H）または31ns（IMYR140R008M2H）ターンオン遅延
    • 4.7ns（IMYR140R019M2H）または17ns（IMYR140R008M2H）立ち上がり
    • 23ns（IMYR140R019M2H）または80ns（IMYR140R008M2H）ターンオン遅延
    • 9.5ns（IMYR140R019M2H）または34ns（IMYR140R008M2H）立ち下がり
  • +25°Cで標準エネルギー
    • 548µJ（IMYR140R019M2H）または2720µJ（IMYR140R008M2H）ターンオン
    • 120µJ（IMYR140R019M2H）または1980µJ（IMYR140R008M2H）ターンオフ
    • 918μJ（IMYR140R019M2H）または5100μJ（IMYR140R008M2H）合計スイッチング
  • +25°Cで0.13μC（IMYR140R019M2H）または0.18μC（IMYR140R008M2H）標準MOSFET順方向回復電荷
  • +25°Cで9.6A（IMYR140R019M2H）または16A（IMYR140R008M2H）標準MOSFETピーク順方向回復電荷
  • +25°Cで250μJ（IMYR140R019M2H）または400μJ（IMYR140R008M2H）標準MOSFETピーク順方向回復エネルギー
  • 熱抵抗
    • 62K/W最大接合部対周囲
    • 0.21K/W〜0.39K/W最大MOSFET/ボディダイオード接合部対ケース範囲
  • +260°C最大はんだ付け温度
  • 最大5000回のサイクル寿命

データシート

回路図

回路図 - Infineon Technologies CoolSiC™1400VSiC G2 MOSFET
公開: 2025-09-25 | 更新済み: 2025-11-03