Infineon Technologies EiceDRIVER™ 高電圧ゲートドライバIC

Infineon Technologies  EiceDRIVER™ 電気自動車(EV)アプリケーション向け高電圧ゲートドライバICには、車載規格のIGBTドライバICとSiC MOSFETドライバICがあります。Infineon Technologies  EiceDRIVER™ 高電圧ゲートドライバICは、ガルバニック絶縁と双方向信号伝送を提供し、高周囲温度にも対応します。このICは極めて短い伝搬遅延を可能にし、1、200VまでのIGBTおよびSiC技術をサポートします。このデバイスには、強化されたスイッチング動作(拡張型CMTI能力、高速伝搬遅延、スイッチング周波数)、幅広い出力側供給範囲、短い内部デッドタイム、DESAT/OCP閾値レベル適応など、SiC MOSFETを駆動するための主要な機能/パラメータが組み込まれています。高度な監視および保護機能により、ISO26262機能安全要件の実装を容易にし、過酷なEMC環境でも安定した動作を実現します。

特徴

  • 強化絶縁
  • ISO26262準拠
  • 統合ADC
  • アクティブ短絡
  • 強力な出力段
  • インフィニオンIGBT/SiCに理想的なオプション
  • コンパクトなパッケージ設計
  • 車載認定済み
  • 診断と監督

アプリケーション

  • モータドライブ用インバータ
    • モーター制御
    • 効率的な電力変換
  • バッテリ管理システム(BMS)
    • パワーデバイスのスイッチング
    • セルバランシングと保護
  • DC-DC電圧変換
  • オンボードチャージャ(OBC)AC-DC変換
  • 電力分配ユニット(PDU)制御
  • 熱管理システムにおけるスイッチング制御
  • 補助システム(HVACなど)

ビデオ

公開: 2024-12-09 | 更新済み: 2024-12-18