Infineon Technologies OptiMOS™ 5 リニア FET 2 MOSFET

Infineon Technologies OptiMOS™ 5 リニアFET 2 MOSFETは、ホットスワップおよびeヒューズアプリケーション向けに最適化されており、非常に低いオン抵抗 RDS(on) と広い安全動作領域(SOA)により、卓越した性能を提供します。これらのNチャネル、ノーマルレベルMOSFETは、信頼性を保証するために100%アバランシェテスト済みで、無鉛リードメッキを採用し、RoHSに準拠しています。さらに、このMOSFETは、IEC61249-2-21規格に基づくハロゲンフリーであり、要求の厳しいアプリケーションにも適合する環境に優しい製品となっています。

特徴

  • ホットスワップおよびeヒューズアプリケーションに最適
  • 非常に低いオン抵抗 RDS(on)
  • 広い安全動作領域 SOA
  • Nチャンネル、ノーマルレベル
  • 100%アバランシェテスト済
  • 無鉛リードメッキ、RoHS対応
  • IEC61249-2-21に準拠するハロゲンフリー

アプリケーション

  • ホットスワップアプリケーション
  • Eヒューズアプリケーション

アプリケーション回路図

Infineon Technologies OptiMOS™ 5 リニア FET 2 MOSFET
公開: 2024-12-06 | 更新済み: 2024-12-22