Infineon Technologies OptiMOS™ 6 80VパワーMOSFET
インフィニオン (Infineon Technologies) OptiMOS™ 6 80V パワーMOSFET は、PQFN 3.3mm × 3.3mm、SuperSO8、PQFN 5mm × 6mm デュアルサイド冷却、PQFN 3.3mm × 3.3mm ソースダウンを含む幅広い製品ポートフォリオにより、業界のベンチマークとなる性能を実現します。80Vファミリは、テレコム、サーバー、ソーラーなどの高スイッチング周波数アプリケーションに最適です。OptiMOS™ 6 80V の性能向上は、バッテリーマネジメントシステム (BMS) においても利点を示しています。
特徴
- Nチャンネル、標準レベル
- オン抵抗
- SSO8 パッケージで、OptiMOS™ 5と比較し、RDS(on) を24%以上低減
- 既存のPQFN 3mm × 3mm パッケージと比較して、RDS(on) を28%以上低減
- 優れたゲート電荷 × RDS(on) 積（FOM）を実現
- 非常に低い逆回復電荷
- 業界標準のパッケージポートフォリオ
- 高いアバランシェ耐量定格
- 標準レベルのゲート駆動
- 電力、SOA、およびアバランシェ電流の改善
- +175°C定格
- 産業用途向け認定
- 高周波スイッチングと同期整流に最適
- 鉛フリーメッキ加工、RoHS 準拠
- IEC61249-2-21に準じたハロゲンフリー
アプリケーション
- 通信インフラ
- 太陽光発電アプリケーション
- バッテリ管理システム（BMS）
- サーバー電源装置（PSU）
- DC/DC 電力変換
仕様
- 80V (最小ドレイン・ソース破壊電圧)
- ゲート閾値電圧範囲 : 2.4V ~ 3.5V
- 最大 100nA ゲート－ソースリーク電流
- 最大連続ドレイン電流範囲： 37A ～ 271A
- 220S または 230S の代表的なトランスコンダクタンスオプション
- ゲート抵抗範囲: 0.75Ω ~ 1.8Ω
- 最大パルスドレイン電流範囲： 676A ～ 1084A
- 最大 ±20V ゲート－ソース電圧
- 最大電力損失範囲 :3.8W ～ 375W
- 最大単一パルスアバランシェエネルギーオプション 1291mJ または 1443mJ
- 最大 100A 単一パルスアバランシェ電流
- 最大熱抵抗
- 接合－ケース間 0.4°C/W
- 周囲に対する接合部：40°C/W、冷却面積：6cm2
- 接合－ケース間 62°C/W、最小フットプリント
- 動作温度範囲: -55°C～+175°C
- PQFN 3.3mm × 3.3mm、両面冷却対応 SuperSO8 PQFN 5mm × 6mm、ならびにソースダウンパッケージオプションの PQFN 3.3mm × 3.3mm
データシート
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公開: 2025-12-10
| 更新済み: 2025-12-23