Infineon Technologies OptiMOS™線形FETs

Infineon Technologies OptiMOS™線形FETは、強化モードMOSFETの飽和領域でのON状態抵抗RDS(on)、および線形機能動作の間のトレードオフを防止するソリューションです。デバイスは、trench MOSFETの最先端のRDS(on)およびクラシックな平面MOSFETの広い安全動作領域が特徴です。OptiMOS線形FETは、大突入電流を制限することで、負荷での損傷を防止します。

また、OptiMOS線形FETは、一般的にテレコムおよびバッテリ・マネジメント・システムで見られるホットスワップおよびEヒューズ・アプリケーションに最適です。

特徴

  • 低RDS(on)と広い安全動作領域(SOA)の組み合わせ
  • 最大パルス電流
  • 最大連続パルス電流
  • Nチャンネル、標準レベル
  • 100%アバランシェ試験済み
  • 鉛フリーめっき加工、RoHS準拠
  • ターゲットアプリケーションに関するJEDEC承認済
  • IEC61249-2-21準拠のハロゲンフリー

アプリケーション

  • 電気通信
  • バッテリ管理

比較表

チャート - Infineon Technologies OptiMOS™線形FETs
公開: 2020-07-20 | 更新済み: 2024-11-06