Infineon Technologies パワーMOSFET
Infineonは、HEXFETパワーMOSFETテクノロジーのパイオニアであり、1979年に最初の六角トロポジMOSFETを開発および導入しました。これらの開発は、わずか4年後に広範な特許が付与されました。それ以来ほとんどのMOSFETメーカーは、この市場に参入する設計とプロセスのライセンスを取得しています。IR製品には、それらのクラスにおける類似コンポーネントを対象とした市販されている製品の中で最低レベルのMOSFET ON抵抗が備わっており、比類のない効率性をともなう電力変換サブシステム設計が実現します。IRには、最先端のシリコン技術と革新的なパッケージング技術が組み合わされています。IR POWIRTAB™、Super-220™、Super-247™パッケージによって、スタンダードのパッケージに比べて同じフットプリントで1デバイスあたり最大20A以上の電流が実現しており、電力密度が増大します。スタンダードの表面実装はんだ付け技術との互換性があるIRのFlipFET®パッケージング技術は、3倍の大きさの従来のパッケージと同じ性能で100％シリコンとフットプリント比率を実現しており、携帯電話やノートPCといったポータブルデバイスに最適なソリューションです。IRのDirectFET®パッケージングは、パッケージの上部からボードの熱を放散させることによって、スタンダードSO-8フットプリントでの熱管理に大きな革命をもたらしています。結果として、DirectFET MOSFETは、次世代マイクロプロセッサに給電する高電流回路における熱管理コストを半分にカットすると同時に、電流密度を2倍にできます。
オーディオ
オーディオ品質の改善を継続することによって、Class Dオーディオアンプは、ホームオーディオおよびビデオシステムの優先ソリューションになりつつあります。Infineonは、同社の高度高電圧テクノロジーを活用し、Class Dオーディオアプリケーションを対象とした高性能MOSFETおよびドライバICを提供し続けてきました。当社の業界を代表するデバイスの堅牢性と組み合わせると、高電力密度と良好な信頼性が強化されたさらなる高性能オーディオシステムをお客様に提供できるようになります。
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民生用機器
Infineonは、DC-DC同期ポイントオブロード (POL) コンバータを対象とした30V同期バックMOSFETのファミリを取り揃えています。SO-8同期MOSFETは、小型サイズ、高効率、改善された熱伝導が必須の高密度アプリケーションを対象に設計されており、サーバならびに高度テレコム・データシステムに使用されるノートPCアプリケーションおよびポイントオブロード（POLコンバータ）に最適です。
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産業用
産業市場の発展にともなって、信頼性が高く堅牢なスイッチングデバイスの必要性もますます高くなっています。フォークリストや無停電電源（UPS）システム、パワーツール、電動バイク、および他のDCモータ駆動システムといった大型のバッテリ駆動アプリケーションは、さらなる電力とバッテリ寿命の延長に対するニーズが新しい設計の定番となりつつある中で、効率性と信頼性の限界を押し上げています。頑丈で効率的なMOSFETのニーズは、これらの設計の不可欠な部分です。InfineonのパワーMOSFETの最新の製品ラインは、市場で最も信頼性の高いパッケージの品揃えで最高クラスの性能を発揮するデバイスを提供できるようにこれらのアプリケーションの要求を満たしています。
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電源
Infineonの電源MOSFETは、サーバ、ラップトップアダプタ、デスクトップ電源のAC-DC同期整流用に設計されています。データ処理回路の電力密度とスピードを向上させる進行中の探求において、さらなる高密度電源の必要性は増大の一途をたどっています。この製品を使用すると、旧世代の業界スタンダード製品に比べてRDS(on)を最大10%下げることで電力密度を改善でき、AC-DC SMPSアプリケーションにおけるRDS(on)の改善を通して優れた同期整流性能を発揮します。
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