ISSI 疑似SRAM/CellularRAM
ISSI 疑似SRAM/CellularRAMデバイスは、DRAMとSRAMの両方の優れた機能を備えています。ISSI PSRAM/CellularRAMは、SRAMに似たアーキテクチャをしています。DRAMとは異なり、物理的リフレッシュを必要としない隠されたリフレッシュ機能があります。CellularRAMデバイスは、CellularRAM規格に準拠して設計され、CRAM 1.5とCRAM 2.0があります。
ISSI 疑似SRAM/CellularRAMは、高速アクセス、非同期、ページ、バーストなどの機能を提供し、さまざまなアプリケーション要件に対応します。 低電圧をサポートしているため、全体的な消費電力を低減し、低電力のポータブルアプリケーションに理想的です。ISSI 疑似SRAM/CellularRAMには、コマーシャル用、産業用、自動車用の動作温度範囲があり、デザインの柔軟性を実現します。
特徴
- 密度：8Mb、16Mb、32Mb、64Mb
- 非同期、ページ、バースト機能をサポート
- パッケージタイプ：BGA、KGD
- オプション性能を提供するデュアル電圧レール
- 高速アクセス時間
- 読み出し・書き込み動作用バーストモード
- 低消費電力
- 産業用、コマーシャル用、自動車用の温度範囲あり
アプリケーション
- モバイル
- 産業
- 自動車
- 電気通信
- ネットワーク
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| 部品番号 | データシート | メモリ サイズ | 編成 | アクセス時間 | 供給電圧 - 最大 | 供給電圧 - 最小 | 供給電流 - 最大 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IS66WVQ16M4FBLL-200BLI | 64 Mbit | 3.6 V | 2.7 V | ||||
| IS66WVR4M8ALL-104NLI |  |
32 Mbit | 4 M x 8 | 7 ns | 1.95 V | 1.65 V | 15 mA |
| IS66WV1M16EBLL-70BLI | |
16 Mbit | 1 M x 16 | 70 ns | 3.6 V | 2.5 V | 28 mA |
| IS66WVE2M16EBLL-70BLI | |
32 Mbit | 2 M x 16 | 70 ns | 3.6 V | 2.7 V | 30 mA |
| IS66WVC4M16EALL-7010BLI | |
64 Mbit | 4 M x 16 | 70 ns | 1.95 V | 1.7 V | 30 mA |
| IS66WV51216EBLL-70TLI-TR | |
8 Mbit | 512 k x 16 | 70 ns | 3.6 V | 2.5 V | 28 mA |
| IS67WVE4M16EBLL-70BLA1 | |
64 Mbit | 4 M x 16 | 70 ns | 3.6 V | 2.7 V | 30 mA |
| IS66WVE2M16EALL-70BLI | |
32 Mbit | 2 M x 16 | 70 ns | 1.95 V | 1.7 V | 30 mA |
| IS66WVE4M16EALL-70BLI | |
64 Mbit | 4 M x 16 | 70 ns | 1.95 V | 1.7 V | 30 mA |
| IS66WV51216EBLL-55TLI | |
8 Mbit | 512 k x 16 | 55 ns | 3.6 V | 2.5 V | 28 mA |
公開: 2014-02-18
| 更新済み: 2024-03-05