疑似SRAM/CellularRAM

ISSI 疑似SRAM/CellularRAMデバイスは、DRAMとSRAMの両方の優れた機能を備えています。ISSI PSRAM/CellularRAMは、SRAMに似たアーキテクチャをしています。DRAMとは異なり、物理的リフレッシュを必要としない隠されたリフレッシュ機能があります。CellularRAMデバイスは、CellularRAM規格に準拠して設計され、CRAM 1.5とCRAM 2.0があります。

半導体のタイプ

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選択 画像 部品番号 メーカ 説明 データシート 在庫状況 価格: (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする 数量 RoHS
ISSI DRAM 32Mb, SerialRAM, Continuous Operation, 1.65V-1.95V, 104MHz, 8 pin SOIC 150 mil, RoHS 86在庫
最低: 1
複数: 1

ISSI DRAM 32Mb, SerialRAM, 1.65V-1.95V, 104MHz, 8 pin SOIC 150 mil, RoHS 106在庫
最低: 1
複数: 1

ISSI DRAM 64Mb, QUADRAM, 2.7V-3.6V, 200MHz, 24-ball TFBGA, RoHS 389在庫
最低: 1
複数: 1

ISSI SRAM 32Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page, 2M x 16,70ns,VDD 2.7V 3.6V, VDDQ 2.7V 3.6V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS 2,449在庫
最低: 1
複数: 1
: 2,500


ISSI SRAM 8Mb,Pseudo SRAM,Async,512K x 16,70ns,2.5v 3.6v,44 Pin TSOP II, RoHS 1,611在庫
最低: 1
複数: 1
: 1,000

ISSI SRAM 16Mb 70ns 2.5v-3.6v 1M x 16 Pseudo SRAM 539在庫
最低: 1
複数: 1

ISSI IS66WVC2M16ECLL-7010BLI
ISSI SRAM 32Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page/Burst CRAM 1.5, 2M x 16,70ns,1.7v 1.95v,54 Ball BGA (6x8 mm), RoHS 480在庫
最低: 1
複数: 1

ISSI SRAM 64Mb Pseudo SRAM 4Mx16 70ns A-Temp 250在庫
最低: 1
複数: 1

ISSI SRAM 32Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page, 2M x 16,70ns,VDD 1.7V 1.95V, VDDQ 1.7V 1.95V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS 310在庫
最低: 1
複数: 1

ISSI IS66WVE2M16ECLL-70BLI
ISSI SRAM 32Mb,Pseudo SRAM 2M x 16 70ns 215在庫
最低: 1
複数: 1

ISSI DRAM 64Mb, OctalRAM, 8Mbx8, 1.8V, 200MHz, 24-ball TFBGA, RoHS 885在庫
最低: 1
複数: 1

ISSI DRAM 64Mb, HyperRAM, 8Mbx8, 1.8V, 200MHz, 24-ball TFBGA, RoHS 942在庫
最低: 1
複数: 1

ISSI DRAM 64Mb, QUADRAM, 1.65V-1.95V, 200MHz, 24-ball TFBGA, RoHS 450在庫
最低: 1
複数: 1

ISSI DRAM 64Mb, OctalRAM, 8Mbx8, 3.0V, 166MHz, 24-ball TFBGA, RoHS 1,887在庫
最低: 1
複数: 1

ISSI DRAM 64Mb, SerialRAM, Continuous Operation, 2.7V-3.6V, 104MHz, 8 pin SOIC 150 mil, RoHS 1,080在庫
最低: 1
複数: 1

ISSI DRAM 32Mb, SerialRAM, Continuous Operation, 2.7V-3.6V, 104MHz, 8 pin SOIC 150 mil, RoHS 158在庫
最低: 1
複数: 1

ISSI DRAM 64Mb, HyperRAM, 8Mbx8, 3.0V, 166MHz, 24-ball TFBGA, RoHS 306在庫
480予想2026/07/06
最低: 1
複数: 1

ISSI DRAM 64Mb, SerialRAM, Continuous Operation, 1.65V-1.95V, 104MHz, 8 pin SOIC 150 mil, RoHS 136在庫
最低: 1
複数: 1

ISSI DRAM 64Mb, SerialRAM, SPI and QPI Protocol, 3V, 104MHz, SOIC-8 171在庫
500取寄中
最低: 1
複数: 1

ISSI SRAM 64Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page, 4M x 16,70ns,VDD 2.7V 3.6V, VDDQ 2.7V 3.6V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS 4,055在庫
最低: 1
複数: 1
: 2,500


ISSI SRAM 8Mb,Pseudo SRAM,Async,512K x 16,70ns,2.5v 3.6v,44 Pin TSOP II, RoHS 758在庫
最低: 1
複数: 1

ISSI SRAM Pseudo SRAM 64Mb 1,834在庫
最低: 1
複数: 1

ISSI IS66WV51216EBLL-55TLI
ISSI SRAM 8Mb Pseudo SRAM Async 512Kx16 55ns 1,115在庫
最低: 1
複数: 1

ISSI IS66WVE4M16ECLL-70BLI
ISSI SRAM 64Mb Pseudo SRAM 4Mx16 70ns 551在庫
最低: 1
複数: 1

ISSI SRAM 8Mb,Pseudo SRAM,Async,512K x 16,70ns,2.5v 3.6v,48 Ball BGA (6x8mm), RoHS 106在庫
最低: 1
複数: 1