IXYS LSIC1MO170E0750 NチャンネルSiC MOSFET

IXYS LSIC1MO170E0750は、高周波・高効率アプリケーション用に最適化されている750mΩNチャンネル・シリコンカーバイド(SiC)MOSFETです。低ゲート抵抗と超低オン抵抗によって、高周波スイッチング・アプリケーションに適しています。また、極めて低いゲート電荷と出力静電容量、すべての温度での通常オフ動作も特徴です。IXYS LSIC1MO170E0750は、スイッチモード電源、ソーラーインバータ、UPSシステム、高電圧DC/DCコンバータ、その他といった高周波スイッチングが活用されているさまざまなアプリケーションに適しています。

特徴

  • 高周波および高効率アプリケーション向けに最適化
  • 極めて低いゲート電荷と出力容量
  • 高周波数スイッチングのための低ゲート抵抗
  • すべての温度で通常はOFFの動作
  • 超低オン抵抗

アプリケーション

  • 高周波アプリケーション
  • ソーラーインバータ
  • スイッチモード電源
  • 無停電電源(UPS)
  • モータードライブ
  • 高電圧DC-DCコンバータ
  • バッテリ充電器
  • 誘導加熱

仕様

  • 1700VDS
  • 最大6.2Aまでの連続ドレイン電流
  • 29Ωゲート抵抗
  • 750mΩRDS(ON)
  • 最高60Wまでの電力散逸
  • -5VDC~+20VDC推奨ゲート-ソース間電圧、-6VDC~+22VDC(最高)

寸法とピン配列

IXYS LSIC1MO170E0750 NチャンネルSiC MOSFET
公開: 2021-06-08 | 更新済み: 2022-03-11