IXYS Integrated Circuits MMIX1T500N20X4 200V X4クラス パワーMOSFET
IXYS MMIX1T500N20X4 200V X4クラス パワーMOSFETは、最大200Vの阻止電圧と1.99mΩの低RDS(on) を備えたNチャネルエンハンスメントモードMOSFETです。低い導通損失を実現し、熱放散を低減しています。また、セラミックベースの高性能絶縁型パッケージにより、全体的な熱抵抗 Rth(j-s) と電力処理能力が向上しています。IXYS MMIX1T500N20X4は、絶縁電圧は1分間で2500VAC（RMS）で、ゲート電荷（Qg）は535nCと低くなっています。
特徴
- 1.99mΩの低RDS (on) が備わった最高200Vまでの阻止電圧
- 535nC低ゲート電荷（Qg）
- 大電流能力ID = 480A
- 高電力密度を実現したコンパクト設計
- 低い導通損失と低減された熱放散
- 低ゲート駆動電力要件
- 並列接続の作業負荷軽減と部品点数の削減
- 組立が容易なコスト効率に優れたソリューション
- セラミックベースの高性能絶縁型パッケージにより、全体的な熱抵抗 Rth(j-s) および電力処理能力が向上
- 1分間の絶縁電圧：2500VAC（RMS）
- 低いドレイン・タブ間浮遊容量
- 先進的な上面冷却パッケージングにより熱管理が簡素化
- RoHS準拠
- UL 94V-0準拠のエキポシ
アプリケーション
- DC負荷スイッチ
- バッテリエネルギー貯蔵システム(BESS)
- 産業用およびプロセス用電源
- 産業用充電インフラ
- ドローンとVTOL
仕様
- 200Vドレイン－ソース電圧（VDSS）（Tvj = +25°C ～ +175°C）
- 連続ゲート－ソース間電圧（VGSS）：±20V
- 過渡ゲート－ソース間電圧（VGSM）：±30V
- 最大ドレイン－ソース間on抵抗：1.99mΩ（RDS (on)）（VGS = 10V、ID =100A）
- ドレイン電流（IDM）：1300A
- 電力散逸（PD）（TC = +25°C）：1070W
- ドレイン－ソースリーク電流（IDSS）
- VDS = VDSS 、VGS = 0V：25µA
- 0V（VDS = VDSS 、VGS = 3mA、Tvj = 105°C時）
ピン配列図
公開: 2025-09-24
| 更新済み: 2025-10-08