IXYS Q3-Class HiperFET™パワーMOSFET

IXYSQ3クラスHiperFET™パワーMOSFETは、卓越したパワースイッチング性能を持つ幅広いデバイスをエンドユーザーに提供します。また、優れた熱特性、強化されたデバイスの堅牢性、高エネルギー効率も備わっています。これらのMOSFETには、200V～1,000Vのドレイン－ソース間電圧定格および10A ～100Aのドレイン電流定格が備わっています。これらの特徴により、Q3クラスは、低オン状態抵抗（R_dson）とゲート電荷（Q_g）の最適化された組み合わせとなり、デバイスの伝導損失とスイッチング損失を大幅に低減します。パワースイッチング機能とデバイスの堅牢性は、HyperFETプロセスを活用することでさらに強化されています。このプロセスによって、高速真性整流器が生成され、デバイスの整流dv/dt定格（最大50V/ns）を強化しながら低逆回復電荷(Q_rr) を実現しています。