IXYS HiPerFET™ Power MOSFETs
IXYS HiPerFET™ Power MOSFETs are for hard switching and resonant mode applications. The devices offer low gate charge, excellent ruggedness with a fast intrinsic diode, and higher current handling capability that eliminates the need for multiple components. These high current HiPerFET MOSFETs are available in standard industrial packages, including isolated types.
Features
- IXYS advanced low gate charge process
- International standard packages
- Low gate charge and capacitance
- Low RDS(on)
- Unclamped Inductive Switching (UIS) rated
- Molding epoxies meet UL94V-0 flammability classification
Associated Products
IXYS X3-Class HiPerFET™パワーMOSFET
Nチャンネル・エンハンスメント・モード、アバランシェ定格MOSFETです。
IXYS HiPerFETおよびMOSFETパワーデバイス
従来の同等のパワーモジュールに比べてはるかに軽量なSMPDパッケージでご用意があります。
IXYS スタンダードのNチャンネルHiPerFET™パワーMOSFET
ハードスイッチングと共振モード両方のアプリケーション向け。低ゲート電荷と優れた耐久性が特長。
IXYS Q-Class HiPerFET™パワーMOSFET
低ゲート電荷と優れた耐久性を備えたハードスイッチングおよび共振モードアプリケーションの両方を対象としています。
IXYS Q3-Class HiperFET™パワーMOSFET
比類のない電力スイッチング性能を実証する広範なデバイスです。
IXYS Gen2 Trench Gate Power MOSFETs
Offered with drain-to-source voltage ratings from 40V to 170V and high current of up to 600A.
IXYS 60V TrenchT3 HiPerFETパワーMOSFET
産業用電力変換アプリケーション用に設計された、超低オン抵抗の頑丈なデバイスです。
IXYS 40V TrenchT4パワーMOSFET
国際規格パッケージに納められた、取付が簡単なNチャンネルエンハンスメントMOSFETです。
IXYS X-Class Power MOSFETs
Easy-to-mount high-power density N-Channel Enhancement Mode MOSFETs with a low RDS(ON) and QG.
IXYS X2-ClassパワーMOSFET（HiPerFET™搭載）
低ゲート電荷の高効率・高速パワースイッチングアプリケーションです。
IXYS X3-Class 200V-300VパワーMOSFET（HiPerFET™搭載）
Nチャンネル拡張モードが搭載されたアバランシェ定格の高速真性ダイオードです。
IXYS X4-Class 135V-150VパワーMOSFET
大幅に低減された抵抗RDS(on)とゲート電荷Qgを備えたパワーMOSFET。
IXYS IXT 200V X4ウルトラジャンクションパワーMOSFET
10.6mΩ、13mΩ、または21mΩのRDS（on）) と最大200Vのドレイン-ソース間電圧を備えたNチャネルデバイス。