IXYS X4-Class 135V-150VパワーMOSFET

IXYS X4-Class 135V-150VパワーMOSFETは、電荷補償原則と独自のプロセス・テクノロジーを活用して開発されています。このテクノロジによって、抵抗R_DS(on)とゲート電荷Q_gが大幅に低減されたパワーMOSFETがもたらされます。低オン抵抗によって導電損失が低減され、出力コンデンサに貯蔵されているエネルギーも低く抑えられ、スイッチング損失が最小限になります。低ゲート電荷によって、軽負荷および低ゲート駆動要件でのさらなる高効率がもたらされます。また、これらのMOSFETは、優れたdv/dt性能を発揮し、アバランシェ定格になっています。オン抵抗の正の温度係数のおかげで、これらのMOSFETは、さらなる大電流要件を満たすために並列で動作できます。