Microchip Technology 23AA02M/23LCV02M 2Mb SPI/SDI/SQI SRAM

Microchip Technology 23AA02Mおよび23LCV02M 2Mb SPI/SDI/SQI SRAMは、シリアル・ペリフェラル・インターフェイス(SPI)互換シリアルバス経由でアクセスできるランダム・アクセス・メモリ・デバイスです。SRAMは、2048Kビットの低電力および単一電圧読み取り/書き込み動作を特徴としています。このデバイスは、より高速なデータレートと143MHzの高速クロック周波数を実現するシリアルデュアルインターフェイス(SDI)およびシリアルクワッドインターフェイス(SQI)をサポートしています。SRAMは、エラー訂正コード(ECC)ロジックが内蔵されており、高信頼性が保証されます。Microchip Technology 23AA02Mおよび23LCV02M 2Mb SPI/SDI/SQI SRAMは、読み取りおよび書き込みにバイト、ページ、およびシーケンシャルモードを備えた256 x 8ビット編成を提供します。SRAMは、無制限の読み取りと書き込みサイクルおよび外部バッテリバックアップサポートで動作します。このデバイスは、ハロゲンフリーで、RoHSに準拠しています。

特徴

  • 2048Kビット低電力SRAM
  • 単一電圧の読み取りおよび書き込み動作
    • 1.7〜3.6V(23AA02M)
    • 2.2V〜3.6V(23LCV02M)
  • シリアル・インターフェイス・アーキテクチャ
    • SPIモード0および3との互換性
    • SDIとSQIをサポート
  • 143MHz高速クロック周波数
  • 内蔵エラー訂正コード(ECC)ロジックによる高信頼性
  • 低電力消費
    • SPI/SDI/SQIの最大アクティブ読み取り電流3mA(40MHz、3.6V時)
    • +25°Cで標準スタンバイ電流70µA
  • 無制限の読み書きサイクル
  • 外部バッテリのバックアップをサポート
  • 書き込み時間ゼロ
  • 編成
    • 256 x 8ビット
    • ユーザーが選択した32バイトまたは256バイトのページサイズ
  • バイト、ページ、シーケンシャルモード (読み取りと書き込み用)
  • パッケージのオプション
    • 8リード PDIP、8リード SOIC、8リード TSSOP
    • 14リード PDIP、14リード SOIC、14リード TSSOP
  • ハロゲンフリー、RoHS準拠

仕様

  • 3.9Vcc 絶対定格電圧
  • 最大アクティブ読み取り電流:3mA
  • 定格電流:70μA(標準)
  • 256K x 8メモリ編成
  • -0.3V〜VCC+0.3V 全入力および出力
  • 143MHz最高クロック周波数
  • 7pF 入力容量
  • 2kV ESD保護
  • 周囲温度範囲: -40°C~+85°C
  • 保存温度範囲: -65°C ~ +150°C
公開: 2024-04-01 | 更新済み: 2024-05-17