Microchip Technology 高速IGBT4パワーモジュール
Microchip Technology高速IGBT4パワーモジュールは、低電圧降下、小漏れ電流、低スイッチング損失が特徴です。これらのモジュールは、1200Vコレクタ-エミッタ間電圧（VCES）で動作し、非常に低い浮遊インダクタンス、簡単な駆動のためのKelvinエミッタ/ソース、拡張温度範囲を実現しています。IGBT4モジュールのメリットは、高効率の コンバータ、高周波動作で優れた性能を発揮すること、低背、接合部とヒートシンク間の熱抵抗が低いことです。これらのモジュールは、信頼性の高い パワーシステム、ACスイッチ、高効率 AC/DCおよびDC/ACコンバータ、モーター制御のようなアプリケーションに使用します。
特徴
- 高速IGBT4：
- 低電圧降下
- 小漏れ電流
- 低スイッチング損失
- SiCショットキーダイオード：
- ゼロ逆回復
- ゼロ順方向回復
- 温度に依存しない切替特性
- VFの正温度係数
- 浮遊インダクタンスが非常に低い
- 超軽量、低背
- 熱性能の向上を目的に厚銅を活用したSi3N4基板
- 内部サーミスタ（温度の監視用）
- 拡張温度範囲
- 高効率コンバータ
- 高周波動作での際立った性能
- ヒートシンクへの直接取り付け（絶縁パッケージ）
- 接合部とヒートシンク間の熱抵抗
- 低背
- RoHS準拠
- 集積電力変換システム
アプリケーション
- 信頼性が高いパワーシステム
- ACスイッチ
- 高効率AC/DCおよびDC/ACコンバータ
- モーター制御
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| 部品番号 | データシート | コレクタ - エミッタ飽和電圧 | 25 Cでのコレクターの直流 | Pd - 電力損失 | 構成 |
|---|---|---|---|---|---|
| MSCGLQ75H120CTBL3NG |  |
2.4 V | 160 A | 470 W | Full Bridge |
| MSCGLQ50A120CTBL1NG | |
2.4 V | 110 A | 375 W | Half Bridge |
| MSCGLQ50DH120CTBL2NG | |
2.4 V | 110 A | 375 W | Asymmetrical Bridge |
| MSCGLQ50DU120CTBL1NG | |
2.4 V | 110 A | 375 W | Dual Common Source |
| MSCGLQ75DDU120CTBL3NG | |
2.4 V | 160 A | 470 W | Double Dual Common Source |
| MSCGLQ50DDU120CTBL2NG | |
2.4 V | 110 A | 375 W | Double Dual Common Source |
| MSCGLQ50H120CTBL2NG | |
2.4 V | 110 A | 375 W | Full Bridge |
公開: 2021-09-30
| 更新済み: 2022-07-14