Micron RLDRAMメモリ

Micron RLDRAMメモリは、高性能、高密度ソリューションで、高速SRAMのようなランダム・アクセスを対象としています。このデバイスは、持続的な帯域幅の点で最先端のDDR3を凌駕しています。RLDRAMには、革新的な回路設計が採用されており、アクセス・サイクルの開始から最初のデータが利用可能になるまでの時間を最小限に抑えます。これによってRLDRAMは、10GbE、40GbE、100GbEパケット・バッファリングおよび検査に最適です。RLDRAMは、さまざまなFPGAおよびネットワーク・プロセッサ・ソリューションでサポートされています。

特徴

  • High-performance, high-density solution for fast SRAM-like random access
  • Outpaces leading-edge DDR3 for sustained high bandwidth
  • Circuit designs minimize the time between the beginning of an access cycle and the instant that the first data is available

アプリケーション

  • 10GbE, 40GbE, and 100GbE packet buffering and inspections
  • FPGAs
  • Network processor solutions

密度別

Micron RLDRAMメモリ
公開: 2018-07-24 | 更新済み: 2023-03-03