Micron RLDRAMメモリ
Micron RLDRAMメモリは、高性能、高密度ソリューションで、高速SRAMのようなランダム・アクセスを対象としています。このデバイスは、持続的な帯域幅の点で最先端のDDR3を凌駕しています。RLDRAMには、革新的な回路設計が採用されており、アクセス・サイクルの開始から最初のデータが利用可能になるまでの時間を最小限に抑えます。これによってRLDRAMは、10GbE、40GbE、100GbEパケット・バッファリングおよび検査に最適です。RLDRAMは、さまざまなFPGAおよびネットワーク・プロセッサ・ソリューションでサポートされています。
特徴
- High-performance, high-density solution for fast SRAM-like random access
- Outpaces leading-edge DDR3 for sustained high bandwidth
- Circuit designs minimize the time between the beginning of an access cycle and the instant that the first data is available
アプリケーション
- 10GbE, 40GbE, and 100GbE packet buffering and inspections
- FPGAs
- Network processor solutions
関連製品
厳格なテストを受けている高品質DRAMコンポーネントを使用して、アプリケーションの市場投入までの時間を加速します。
アプリケーションがクロック信号の立ち上がりエッジおよび立ち下がりエッジでデータを転送できるようになります。
多くのアプリケーションの多様なニーズに優れたメモリの選択肢です。
デスクトップ、ノートブック、サーバ、ネットワーキングの計算および組み込みシステムに最適です。
費用対効果の高いプラグインアンドゴー・ソリューションで、確固たる長期的ソリューションのための高い信頼性が備わっています。
公開: 2018-07-24
| 更新済み: 2023-03-03