Nexperia BSH205G2 20V PチャンネルTrench MOSFET
NXP PチャンネルTrench MOSFETは、小型のSOT23（TO-236AB）表面実装デバイス（SMD）プラスチックパッケージに収められたエンハンスメントモード電界効果トランジスタ（FET）です。Trench MOSFET技術を採用し、低い閾値電圧と超高速スイッチングを提供します。このMOSFETは、リレードライバ、高速ラインドライバ、切替回路のような用途に理想的です。
The Nexperia BSH205G2 20V P-Channel Trench MOSFET is AEC-Q101 qualified and suitable for use in automotive applications.
特徴
- AEC-Q101 qualified
- Enhanced power dissipation capability of 890mW
- Trench MOSFET technology
- Low on-state resistance
- Low threshold voltage
- -55°C to 150°C ambient temperature range
- SOT23 (TO-236AB) package
アプリケーション
- Relay driver
- High-speed line driver
- High-side loadswitch
- Switching circuits
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| 部品番号 | データシート | Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧 | Id - 連続ドレイン電流 | 最高動作温度 |
|---|---|---|---|---|
| BSH205G2AR |  |
900 mV | 2.6 A | + 175 C |
| BSH205G2R | |
450 mV | 2.3 A | + 150 C |
| BSH205G2VL | |
950 mV | 2.3 A | + 150 C |
公開: 2015-03-10
| 更新済み: 2022-11-28