onsemi FDT4N50NZU UniFET II MOSFET

onsemi FDT4N50NZO UniFET II MOSFETは、高度平面ストリップとDMOS技術に基づいた高電圧MOSFETです。MOSFETは、プレーナMOSFETの中でもON状態抵抗が低く抑えられています。また、優れたスイッチング性能、さらなる高アバランシェ・エネルギー強度を実現しています。内部ゲート-ソースESDダイオードを使用すると、2kV HBM以上のサージストレスに対する耐性がUniFET II MOSFETに生まれます。